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  Einfache MOSFET (6 706 Artikel)

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VISHAY IRFBG20PBF MOSFET, N-KANAL, 1000V, 1.4A, TO-220 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11.5 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...
Vishay
IRFBG20PBF
ab € 0,59*
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VISHAY SQJ431AEP-T1_GE3 MOSFET, P-KANAL, -200V, -9.4A, 175°C (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.254 ohm Produktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p...
Vishay
SQJ431AEP-T1_GE3
ab € 0,59*
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TOSHIBA TK6A65D(STA4,X,M) MOSFET, N-KANAL, 650V, 6A, SC-67 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 6 A Be...
Toshiba
TK6A65D(STA4,X,M)
ab € 0,59036*
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Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK) (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal ...
Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1
ab € 0,59133*
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ROHM RQ3P045ATTB1 MOSFET, P-CH, 100V, 14.5A, HSMT (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 14.5...
ROHM Semiconductor
RQ3P045ATTB1
ab € 0,59133*
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VISHAY SISS32ADN-T1-GE3 MOSFET N-KANAL 80V 63A, POWERPAK 1212-8S (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Dra...
Vishay
SISS32ADN-T1-GE3
ab € 0,59133*
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VISHAY SI4848DY-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 150V, 2.7A, NSOIC (3 Angebote) 
Verlustleistung: 1.5 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 ohm Produktpalette: ...
Vishay
SI4848DY-T1-GE3
ab € 0,5923*
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INFINEON IRFZ44VPBF MOSFET, N-KANAL, 60V, 55A, TO-220 (6 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom I...
Infineon
IRFZ44VPBF
ab € 0,59297*
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DIODES INC. DMTH8008LFGQ-7 MOSFET, N-KANAL, 80V, 70A, POWERDI 3333 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom ...
Diodes
DMTH8008LFGQ-7
ab € 0,59327*
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ROHM RSJ151P10TL MOSFET, P-KANAL, -100V, -15A, TO-263 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal D...
ROHM Semiconductor
RSJ151P10TL
ab € 0,59327*
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VISHAY SIR826BDP-T1-RE3 MOSFET, N-KANAL, 80V, 80.8A, 150°C, 83W (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00435 ohm Produktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Ka...
Vishay
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ab € 0,59327*
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VISHAY SIHP6N80AE-GE3 MOSFET, N-KANAL, 800V, 5A, TO-220AB (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826 ohm Produktpalette: E Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 5 A B...
Vishay
SIHP6N80AE-GE3
ab € 0,59394*
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INFINEON IPA80R1K4CEXKSA2 MOSFET, N-KANAL, 800V, 3.9A, TO-220FP-3 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id:...
Infineon
IPA80R1K4CEXKSA2
ab € 0,59424*
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ONSEMI NTD6416ANLT4G MOSFET, N-KANAL, DIODE, 100V, 19A, DPAK (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal D...
onsemi
NTD6416ANLT4G
ab € 0,59424*
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ROHM R6007RND3TL1 MOSFET, N-CH, 600V, 7A, TO-252 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 7 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-252 Drain-Source-Spannung Vds: 600 V Verlustleistung: 96 W Qualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7...
ROHM Semiconductor
R6007RND3TL1
ab € 0,59424*
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