Bipolar Transistoren (508 Artikel)

Transistor, TIP145-T, ISC Entwickelt für universelle Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen Features * Kollektor-Emitter-Erhaltungsspannung * Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Monoli...

NPN-Transistor, FMMT493TA, DIODES NPN-Transistor mittlerer Leistung im SOT23-Gehäuse. Features * Halogen- und antimonfrei * RoHS-konform

NPN-Transistor, PBSS8110T,215, NEXPERIA NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem kleinen oberflächenmontierten SOT23 (TO-236AB)-Kunststoffgehäuse (SMD). Features * Niedrige Kollektor-Emitter-Sä...

NPN-Transistor, FCX495TA, DIODES NPN-Transistor mittlerer Leistung im SOT89-Gehäuse. Features * Halogen- und antimonfrei * Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit

NPN-Transistor, BCP68T1G, onsemi Dieser NPN-Silizium-Epitaxie-Transistor ist für den Einsatz in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-223-Gehäuse untergebrac...

NPN-Schalttransistor, TIP47, STMicroelectronics Der TIP47 Silizium-NPN-Schalttransistor ist in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden...

NPN-Transistor, 2N3440, CDIL Der Siliziumtransistor 2N3440 ist für den Einsatz als Hochspannungs- und Hochleistungsverstärker konzipiert.

NPN-Transistor, BC517, CDIL NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Darlington-Transistor.

NPN-Transistor, BD410, CDIL Dieser NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor wird zum Schalten hoher Leistungen verwendet.

NPN-Transistor, FMMT491A, DIODES NPN-Silizium-Planartransistor mittlerer Leistung im SOT23-Gehäuse. Features * Halogen- und antimonfrei * Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit

NPN-Transistor, PBSS4140U,115, NEXPERIA NPN-Transistor mit niedriger VCEsat in einem SOT323-Kunststoffgehäuse. Features * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Hohe Strombelastbarkeit * V...

Transistor, BC140-16-T, DSI NPN-Transistor mittlerer Leistung in einem TO-39-Metallgehäuse. PNP-Ergänzungen: BC160 und BC161.

Transistoren Reihe BSX. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BSX45-10, TO39, DSI

Bipolartransistor, BCP54H6327XTSA1, Infineon Technologies Der BCP54H6327XTSA1 ist ein NPN-Silizium-NF-Transistor, der für Treiber- und Ausgangsstufen verwendet wird. Features * Hoher Kollektorstrom...

Bipolartransistor, BCX54-16E6327, Infineon Technologies Der BCX54-16E6327 ist ein NPN-Silizium-NF-Transistor, der für Treiber- und Ausgangsstufen verwendet wird. Features * Hoher Kollektorstrom * H...