Bipolar Transistoren (512 Artikel)

NPN-Leistungstransistor, MJ4035, COMSET Der NPN-Leistungstransistor MJ4035 auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration ist im TO-3-Metallgehäuse von Jedec untergebracht. ...

NPN-Transistor, ZTX849, DIODES NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.

Transistoren Reihe 2N. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N2904A, TO39

Allzweck-Transistor, BC140-10-T, COMSET Der planare Silizium-Epitaxie-NPN-Transistor BC140-10-T ist in einem TO-18-Metallgehäuse untergebracht. Er ist besonders für Audioverstärker und Schaltanwend...

Bipolartransistor, BC860B, Infineon Technologies Features * Hohe Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Geräuscharm * Pb-frei und RoHs-konform Anwendungen * Für AF-Einga...

Bipolartransistor, BC848BE6327, Infineon Technologies Features * Hohe Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Geräuscharm * Pb-frei und RoHs-konform Anwendungen * Für AF-...

PNP-Lastschalter, PBLS2021D,115, NEXPERIA PNP-Transistor mit niedriger VCEsat und NPN-Transistor mit Widerstand (RET) in einem SOT457 (SC-74)-Kunststoffgehäuse für kleine oberflächenmontierte Baute...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP720FH6327XTSA1, Infineon Technologies Der BFP720FH6327XTSA1 ist ein breitbandiger NPN-HF-Heteroübergang-Bipolartransistor (HB...

Transistoren Reihe BD. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD743C, TO220, IPS

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP650FH6327XTSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung *...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP740FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies Der BFP740FESDH6327XTSA1 ist ein sehr rauscharmer bipolarer Breitband-NPN-HF-Transis...

Bipolartransistor, BFR183E6327, Infineon Technologies Der BFR183E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Breitbandverstärker mit hoher Verstärkung verwendet wird. Feature...

NPN-Transistor, FMMT491A, DIODES NPN-Silizium-Planartransistor mittlerer Leistung im SOT23-Gehäuse. Features * Halogen- und antimonfrei * Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit

Germanium-Transistoren. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): ASY77, TO5

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP520FH6327XTSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung *...

Kleinsignal-Transistoren Reihe BSY. Im TO39 Gehäuse. Technische Merkmale (Typ, Kollektor-Bassis-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, h(FE) min./max., Hersteller): BSY88, 100 V, 60 V, 100/300, DSI

Bipolartransistor, BCR135E6327, Infineon Technologies Features * Eingebauter Vorspannungswiderstand * Niedrige Stromverstärkung * Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung * Pb-frei und RoHs-konfo...

PNP-Transistor, 2N5415-T, COMSET Der 2N5415-T ist ein PNP-Transistor in einem TO-39-Metallgehäuse. Er ist für den Einsatz in Hochspannungsschalt- und Linearverstärkeranwendungen vorgesehen. Feature...

NPN-Leistungstransistor, BD179, ISC Dieser Silizium-NPN-Leistungstransistor ist für lineare und schaltende Anwendungen mittlerer Leistung ausgelegt. Features * DC-Stromverstärkung * Kollektor-Emitt...

PNP-Leistungstransistor, BDW84D, ISC Dieser Silizium-PNP-Leistungstransistor ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen. Features * Mit TO-3PN-Gehäuse * Hohe DC...

Bipolartransistor, BCR112E6327, Infineon Technologies Features * Eingebauter Vorspannungswiderstand * Niedrige Stromverstärkung * Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung * Pb-frei und RoHs-konfo...

PNP-Transistor, BCW61D,215, NEXPERIA PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse. Features * AEC-Q101 qualifiziert Anwendungen * Allgemeine Schalt- und Verstärkungsfunktionen

Transistoren Reihe BFY. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BFY56, TO39, DSI

Kleinsignal-Transistoren Reihe BSY. Im TO39 Gehäuse. Technische Merkmale (Typ, Kollektor-Bassis-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, h(FE) min./max., Hersteller): BSY87, 100 V, 60 V, 40/120, DSI

NPN-Leistungstransistor, BCP55,135, NEXPERIA NPN-Transistoren mittlerer Leistung in einem kleinen oberflächenmontierten SOT223 (SC-73)-Kunststoffgehäuse (SMD). Features * Hoher Strom * Hohe Verlust...

PNP-Transistor, BC856A, NEXPERIA PNP-Allzwecktransistoren in einem kleinen SOT23 (TO-236AB), oberflächenmontierten Kunststoffgehäuse (SMD). Features * Niedriger Strom * Niederspannung Anwendungen *...

NPN-Leistungstransistor, BD651-T, COMSET Der BD651-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Au...

Transistoren Reihe BD. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD250B, SOT93

NPN-Transistor, 2N930, CDIL Dieser NPN-Silizium-Planartransistor wird als rauscharmer Transistor verwendet.

Transistoren Reihe BD. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BD712, TO220, IPS

Darlington-Schalter, ULN2075B, STMicroelectronics Dieser Baustein wurde für den Anschluss von Logik an eine Vielzahl von Hochstrom- und Hochspannungslasten entwickelt und enthält vier NPN-Darlingto...

PNP-Transistor, BC859B, NEXPERIA PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse. Features * Niedriger Strom * Niederspannung Anwendungen * Rauscharme Eingangsstufen von Tonfrequenzgeräten

PNP-Transistor, TIP147, COMSET Der TIP147 ist ein PNP-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration und ist in einem SOT93-Kunststoffgehäuse untergebracht. Er is...

PNP-Transistor, BC214C, CDIL Der PNP-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor BC214C wird als universeller Verstärker für kleine Signale verwendet.

Transistor, TIP145-T, ISC Entwickelt für universelle Verstärker- und Niederfrequenz-Schaltanwendungen Features * Kollektor-Emitter-Erhaltungsspannung * Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Monoli...

NPN-Transistor, 2N3019-T, COMSET Der NPN-Transistor 2N3019-T ist in einem TO-39-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochstrom- und Hochfrequenzverstärkeranwendungen vorgesehen. Features * Hohe ...

PNP-Transistor, BC559B, CDIL PNP-Silizium-Epitaxie-Planartransistor für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen.

Leistungs-Transistoren Reihe BUX. NPN-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Kollektor-Emitter-Spannung, Kollektor-Strom, Leistung, Gehäuse, Hersteller): BUX20, 160 V, 50 A, 350 W, TO3, DSI

NPN-Transistor, BUV20, CDIL Der BUV20 ist ein planarer Silizium-Multiepitaxie-NPN-Transistor in einem TO-3-Metallgehäuse von jedec. Er ist für den Einsatz in Schalt- und Linearanwendungen in militä...

PNP-Transistor, BD242B, CDIL Dieser komplementäre Siliziumtransistor ist für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, Serien- und Shunt-Reglern, Treiber- und Ausgangsstufen von Hi-Fi-Ve...

NPN-Leistungstransistor, BUX98A, COMSET Der BUX98A ist ein Silizium-Multiepitaxie-NPN-Transistor im Jedec TO-3-Gehäuse. Er ist für industrielle Anwendungen aus ein- und dreiphasigem Netzbetrieb vor...

NPN-Transistor, BC238C, CDIL Dieser NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor wird als Verstärker verwendet.

NPN-Schalttransistor, 2N2219-T, COMSET Der 2N2219-T ist ein NPN-Transistor im TO-39-Metallgehäuse. Er wurde für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch eine nützli...

Transistor, FJT44TF, ON Semiconductor NPN-Epitaxie-Silizium-Transistor Features * Hochspannungstransistor

Transistoren Reihe 2N. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N3585, TO66

Transistoren Reihe MJ. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): MJ3001, TO3, DSI

NPN switching power transistor, BUX48, COMSET Der BUX48 Silizium-Multiepitaxie-Mesa-NPN-Transistor ist im TO-3-Gehäuse von Jedec untergebracht. Er ist für den Einsatz in Schalt- und Industriegeräte...

NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert...

Leistungstransistor, LM395T, Texas Instruments Der LM395T ist ein schneller, monolithisch integrierter Leistungsschaltkreis mit vollständigem Überlastschutz. Dieses Gerät, das als Hochverstärkungs-...

Darlington-Schalter, ULN2069B, STMicroelectronics Dieser Baustein wurde für den Anschluss von Logik an eine Vielzahl von Hochstrom- und Hochspannungslasten entwickelt und enthält vier NPN-Darlingto...