Bipolar Transistoren (507 Artikel)

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP720FH6327XTSA1, Infineon Technologies Der BFP720FH6327XTSA1 ist ein breitbandiger NPN-HF-Heteroübergang-Bipolartransistor (HB...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP650FH6327XTSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung *...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP740FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies Der BFP740FESDH6327XTSA1 ist ein sehr rauscharmer bipolarer Breitband-NPN-HF-Transis...

NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Bipolartransistor, BFP520FH6327XTSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung *...

PNP-Transistor, BCW61D,215, NEXPERIA PNP-Transistor in einem SOT23-Kunststoffgehäuse. Features * AEC-Q101 qualifiziert Anwendungen * Allgemeine Schalt- und Verstärkungsfunktionen

Darlington-Schalter, ULN2075B, STMicroelectronics Dieser Baustein wurde für den Anschluss von Logik an eine Vielzahl von Hochstrom- und Hochspannungslasten entwickelt und enthält vier NPN-Darlingto...

Leistungs-Transistoren Reihe BUX. NPN-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Kollektor-Emitter-Spannung, Kollektor-Strom, Leistung, Gehäuse, Hersteller): BUX20, 160 V, 50 A, 350 W, TO3, DSI

NPN-Transistor, BUV20, CDIL Der BUV20 ist ein planarer Silizium-Multiepitaxie-NPN-Transistor in einem TO-3-Metallgehäuse von jedec. Er ist für den Einsatz in Schalt- und Linearanwendungen in militä...

NPN-Leistungstransistor, BUX98A, COMSET Der BUX98A ist ein Silizium-Multiepitaxie-NPN-Transistor im Jedec TO-3-Gehäuse. Er ist für industrielle Anwendungen aus ein- und dreiphasigem Netzbetrieb vor...

NPN-Schalttransistor, 2N2219-T, COMSET Der 2N2219-T ist ein NPN-Transistor im TO-39-Metallgehäuse. Er wurde für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch eine nützli...

Transistoren Reihe 2N. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N3585, TO66

Transistoren Reihe MJ. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): MJ3001, TO3, DSI

Germanium-Transistoren. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): ASY77, TO5

NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert...

NPN-Leistungstransistor, MJ4035, COMSET Der NPN-Leistungstransistor MJ4035 auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration ist im TO-3-Metallgehäuse von Jedec untergebracht. ...