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Bipolarer Transistor, NPN, 40V, SOT-23 (2 Angebote) Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=MMBT2222A RFG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (... |
Taiwan Semiconductor MMBT2222A RFG |
ab € 0,0465*
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Bipolarer Transistor, PNP, 500V, SOT-23 (2 Angebote) Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=TSA884CX RFG, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung... |
Taiwan Semiconductor TSA884CX RFG |
ab € 0,20*
pro Stück |
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Kleinleistungstransistor, NPN, 40V, TO-18 (1 Angebot) Bezeichnung=Kleinleistungstransistor, Typ=NTE123A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=2 V, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Ve... |
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ab € 2,14*
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Kleinleistungstransistor, NPN, 80V, TO-39 (1 Angebot) Bezeichnung=Kleinleistungstransistor, Typ=NTE128, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.1 V, Betriebstemperatur, max.=200 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (V... |
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ab € 2,27*
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Komplementärendstufen Germanium-Transistor, PNP, TO1 (2 Angebote) Bezeichnung=Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-... |
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ab € 6,39*
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Leistungstransistor, PNP, 160V, TO-126 (1 Angebot) Bezeichnung=Leistungstransistor, Typ=NTE374, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5... |
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ab € 1,51*
pro Stück |
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