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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
ab € 2 550,8925*
pro 450 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
ab € 2 161,632*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
ab € 2 122,062*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
ab € 1 701,912*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
ab € 1 675,782*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
ab € 1 606,032*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
ab € 1 600,014*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 71 A ±30V max. , 650 V 202 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 71 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 202 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
ab € 1 541,004*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 111 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
ab € 1 477,392*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 88 A ±30V max. , 650 V 245 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 245 W Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
ab € 1 464,024*
pro 600 Stück
 
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ROHM IGBT / 23 A ±30V max. , 650 V 85 W, 3-Pin TO-3PFM N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-3PFM Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
ab € 1 452,9825*
pro 450 Stück
 
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ROHM IGBT / 51 A ±30V max. , 650 V 156 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 51 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65DGC13
ab € 1 400,034*
pro 600 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
ab € 1 283,712*
pro 600 Stück
 
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ROHM IGBT / 40 A ±30V max. , 650 V 214 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = ...
ROHM Semiconductor
RGW80TS65CHRC11
ab € 10,16*
pro Stück
 
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ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 254 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 254 W Gehäusegröße = TO-247N Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ROHM Semiconductor
RGW00TS65CHRC11
ab € 9,65*
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