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Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
ab € 2 257,25004*
pro 12 Stück
 
 Packung
STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
ST Microelectronics
STGD5NB120SZT4
ab € 2 173,40*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max., 1200 V 1000 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1000 W Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = SMD Channel-Typ =...
Infineon
FS200R12KT4RBOSA1
ab € 2 171,45*
pro 10 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
ab € 2 161,632*
pro 600 Stück
 
 Packung
Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM200GB12F4
ab € 2 140,43004*
pro 12 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 1,8 kA 20V max., 1700 V 1,8 kW AG-PRIME3+ N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,8 kW Gehäusegröße = AG-PRIME3+ Channel-Typ = N Transistor-Konfigurati...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
ab € 2 133,56*
pro 2 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
ab € 2 122,062*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 900 A ±20V max., 1200 V 20 mW, 7-Pin (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dual Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7
Infineon
FF900R12ME7PB11BPSA1
ab € 2 100,73002*
pro 6 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 62 mm Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konfig...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
ab € 2 093,70*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 450 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 7-Pin CTI (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7
Infineon
FF450R12KE4EHOSA1
ab € 2 056,23*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
ab € 1 989,63*
pro 2 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 21 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V3040D3ST
ab € 1 977,35*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 16.5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 39 Das on Semiconduct...
onsemi
NFAM0512L5BT
ab € 1 960,5402*
pro 90 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA Triple, 4500 V 4000 kW AG-IHVB190 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 4500 V Verlustleistung max. = 4000 kW Konfiguration = Single
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
ab € 1 935,24*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V EconoPIM (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
ab € 1 915,67*
pro 10 Stück
 
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