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Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 385 W (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 385 W
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
ab € 1 909,07*
pro 10 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM450DY-24T #300G
ab € 1 863,97*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA Triple, 4500 V 4000 kW AG-IHVB190 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 4500 V Anzahl an Transistoren = 3 Gehäusegröße = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
ab € 1 855,83*
pro Stück
 
 Stück
Mitsubishi IGBT-Modul / 50 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Die...
Mitsubishi
PM50CG1B120#300G
ab € 1 851,78*
pro 10 Stück
 
 Packung
Semikron IGBT-Transistormodul / 150 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke
Semikron
SKM150GB12F4G
ab € 1 799,07*
pro 12 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 11 kW EconoPACK (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 11 kW Gehäusegröße = EconoPACK
Infineon
FS200R12PT4BOSA1
ab € 1 779,02004*
pro 6 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 600 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...
Mitsubishi
CM600DX -24T #300G
ab € 1 749,61008*
pro 9 Stück
 
 Packung
Mitsubishi IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 600 V 2,83 kW 94 x 48 mm (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual
Mitsubishi
CM400DY-13T#300G
ab € 1 730,29*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 450 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-ECONOD Montage-Typ = Chassismontage Transistor-K...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
ab € 1 728,00*
pro 10 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT-Modul Dual 69 W Q0BOOST - Gehäuse 180AJ (bleifreie und halogenfreie Lötstifte) (1 Angebot) 
Verlustleistung max. = 69 W
onsemi
NXH80B120MNQ0SNG
ab € 1 722,77016*
pro 24 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 2,4 kA Triple, 3300 V 5400 kW AG-IHVB190 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 2,4 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 3300 V Verlustleistung max. = 5400 kW Gehäusegröße = AG-IHVB190
Infineon
FZ2400R33HE4BPSA1
ab € 1 716,30*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT-Modul / 450 A ±20V max. Dual, 1200 V 1,6 kW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1,6 kW
Infineon
FF300R12KT4HOSA1
ab € 1 702,86*
pro 10 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2 kW AG-62MM-1 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 580 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2 kW Gehäusegröße = AG-62MM-1 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = ...
Infineon
FF400R12KE3HOSA1
ab € 1 700,84*
pro 10 Stück
 
 Packung
onsemi IGBT / 10 A ±14V max., 450 V 130 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...
onsemi
ISL9V2040D3ST
ab € 1 699,60*
pro 2 500 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 65 A ±30V max. , 600 V 148 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
ab € 1 692,72*
pro 600 Stück
 
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