IGBT bei Mercateo günstig kaufen

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Infineon Smart Power Modul / 20 A 6-fach, 3,21 V 156 W, 18-Pin DIP 36 x 23 D. N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 3,21 V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = DIP 36 x 23 D. Channel-Typ = N Pinanzahl = 18 Transistor-Konfiguration = Serie

Infineon

IM818LCCXKMA1

ab € 7 511,1708*
pro 280 Stück

onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte) (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 101 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 2

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

ab € 5 889,55032*
pro 36 Stück

onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max. 6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 73 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

ab € 5 500,54008*
pro 36 Stück

Infineon IGBT ±20V max. 62,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal (1 Angebot)

Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 62,5 W Gehäusegröße = PG-TDSON-8 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 8

Infineon

BSC16DN25NS3GATMA1

ab € 5 308,60*
pro 5 000 Stück

Infineon IGBT / 250 A ±20V max. Triple, 6500 V 1000 kW, 5-Pin CTI (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 250 A Kollektor-Emitter-Spannung = 6500 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1000 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5

Infineon

FZ250R65KE3NPSA1

ab € 4 811,86*
pro 4 Stück

STMicroelectronics IGBT / 200 A ±20V max. Dual, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 714 W Gehäusegröße = ECOPACK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = NPN Pinanza...

ST Microelectronics

STGSB200M65DF2AG

ab € 4 665,72*
pro 200 Stück

onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (1 Angebot)

Verlustleistung max. = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

ab € 3 996,53016*
pro 28 Stück

Infineon IGBT-Modul / 950 A ±20V max. 6-fach, 750 V 870 W HybridPACK (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 950 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = HybridPACK

Infineon

FS950R08A6P2BBPSA1

ab € 3 472,28004*
pro 6 Stück

Infineon IGBT-Modul / 760 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V, 33-Pin AG-HYBRIDD-1 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 760 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = AG-HYBRIDD-1 Channel-Typ = N Pinanzahl = 33 Der In...

Infineon

FS380R12A6T4BBPSA1

ab € 3 343,65*
pro 6 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Halbbrücke

Semikron

SKM400GB12F4

ab € 3 233,88*
pro 12 Stück

Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = Tafelmontage

Infineon

FP150R12KT4BPSA1

ab € 3 141,55*
pro 10 Stück

Infineon IGBT / 200 A 15V max. Triple, 750 V 1,07 kW TO247PLUS (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 750 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 3 Gehäusegröße = TO247PLUS

Infineon

AIKQ200N75CP2XKSA1

ab € 3 137,1312*
pro 240 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-Ko...

Infineon

FF1500R17IP5PBPSA1

ab € 3 030,66*
pro 3 Stück

Vishay SI7489DP-T1-E3 IGBT (1 Angebot)

IGBT

Vishay

SI7489DP-T1-E3

ab € 2 997,27*
pro 3 000 Stück

Infineon IGBT / 200 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 46-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N...

Infineon

FP200R12N3T7BPSA1

ab € 2 980,03*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA ±20V max., 2300 V 2700 kW PRIME3+ (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 2300 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2700 kW Gehäusegröße = PRIME3+ Montage-Typ = Schraubmontage

Infineon

FF1800R23IE7BPSA1

ab € 2 887,17*
pro 2 Stück

Infineon IGBT-Modul / 200 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 700 W (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 700 W

Infineon

FS150R12KT3BOSA1

ab € 2 791,73*
pro 10 Stück

onsemi Smart Power Modul / 20 A 15V max. 6-fach, 1200 V DIP39 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 15V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = DIP39 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Das on Semicon...

onsemi

NFAM2012L5BT

ab € 2 758,6305*
pro 90 Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 100 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Di...

Mitsubishi

PM100CG1B120#300G

ab € 2 751,31*
pro 10 Stück

onsemi IGBT 600V max., 2,6 V NFAQ (1 Angebot)

Kollektor-Emitter-Spannung = 2,6 V Gate-Source Spannung max. = 600V Gehäusegröße = NFAQ

onsemi

NFAQ0560R46T

ab € 2 658,772*
pro 400 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 300 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke

Semikron

SKM300GB12F4

ab € 2 581,05*
pro 12 Stück

Infineon IGBT / 150 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 43-Pin Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Chassismontage Channel-Typ = N...

Infineon

FP150R12N3T7BPSA1

ab € 2 566,59*
pro 10 Stück

ROHM IGBT / 50 A ±30V max. , 650 V 348 W, 3-Pin TO-247N N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 348 W Konfiguration = Single Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

ROHM Semiconductor

RGWX5TS65DHRC11

ab € 2 560,0725*
pro 450 Stück

onsemi IGBT-Modul Quad 74 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (1 Angebot)

Verlustleistung max. = 74 W

onsemi

NXH040F120MNF1PTG

ab € 2 555,67004*
pro 28 Stück

Infineon IGBT-Modul / 150 A +/-20V max. 6-fach, 1200 V 750 W (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Verlustleistung max. = 750 W

Infineon

FS150R12KT4B11BOSA1

ab € 2 516,48*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,2 kA 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 10-Pin Prime2 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,2 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Prime2 Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-Kon...

Infineon

FF1200R12IE5PBPSA1

ab € 2 420,95002*
pro 3 Stück

STMicroelectronics IGBT / 25 A 16V max. , 475 V 125 W, 3-Pin DPAK N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 475 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 ...

ST Microelectronics

STGD20N45LZAG

ab € 2 416,15*
pro 2 500 Stück

STMicroelectronics IGBT / 30 A 16V max., 420 V 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = 16V Verlustleistung max. = 125 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinan...

ST Microelectronics

STGD18N40LZT4

ab € 2 368,30*
pro 2 500 Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 600 V 4,17 kW 94 x 48 mm (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 4,17 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual

Mitsubishi

CM600DY-13T#300G

ab € 2 359,30*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 400 A 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = 62 mm Channel-Typ = N Pinanzahl = 7 Transistor-Konfig...

Infineon

FF400R17KE4HOSA1

ab € 2 341,37*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max. 6-fach, 600 V 600 W EconoPACK (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = EconoPACK

Infineon

FS200R06KE3BOSA1

ab € 2 281,63*
pro 10 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1

Semikron

SKM400GAL12F4

ab € 2 270,56008*
pro 12 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max. , 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 400 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 1

Semikron

SKM400GAR12F4

ab € 2 255,35008*
pro 12 Stück

STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 75 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

ST Microelectronics

STGD5NB120SZT4

ab € 2 189,225*
pro 2 500 Stück

ROHM IGBT / 85 A ±30V max. , 650 V 277 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 277 W Gehäusegröße = To-247GE

ROHM Semiconductor

RGTH00TS65DGC13

ab € 2 166,102*
pro 600 Stück

Infineon IGBT-Modul / 280 A ±20V max., 1200 V 1000 W, 35-Pin EconoPACK 3 N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1000 W Konfiguration = Dreiphasenbrücke Montage-Typ = SMD Channel-Typ =...

Infineon

FS200R12KT4RBOSA1

ab € 2 164,38*
pro 10 Stück

Semikron IGBT-Transistormodul / 200 A ±15.0V max. Dual, 1200 V (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±15.0V Anzahl an Transistoren = 2 Konfiguration = Halbbrücke

Semikron

SKM200GB12F4

ab € 2 128,69008*
pro 12 Stück

ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65DGC13

ab € 2 126,172*
pro 600 Stück

Infineon IGBT / 1,8 kA 20V max., 1700 V 1,8 kW AG-PRIME3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 1,8 kW Gehäusegröße = AG-PRIME3+ Channel-Typ = N Transistor-Konfigurati...

Infineon

FF1800R17IP5BPSA1

ab € 2 124,89*
pro 2 Stück

Infineon IGBT / 900 A ±20V max., 1200 V 20 mW, 7-Pin (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 20 mW Konfiguration = Dual Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7

Infineon

FF900R12ME7PB11BPSA1

ab € 2 089,68*
pro 6 Stück

Infineon IGBT-Modul / 105 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 355 W EconoPIM (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = EconoPIM

Infineon

FP75R12KT3BOSA1

ab € 2 084,41*
pro 10 Stück

Infineon IGBT / 450 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 7-Pin CTI (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 450 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 2,4 kW Gehäusegröße = CTI Montage-Typ = Tafelmontage Pinanzahl = 7

Infineon

FF450R12KE4EHOSA1

ab € 2 064,34*
pro 10 Stück

Infineon IGBT / 890 A 20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 890 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW

Infineon

FF900R12ME7WB11BPSA1

ab € 1 997,22*
pro 6 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,5 kA 20V max. Dual, 1700 V 20 mW, 10-Pin Prime3+ N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,5 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = Prime3+ Channel-Typ = N Pinanzahl = 10 Transistor-...

Infineon

FF1500R17IP5BPSA1

ab € 1 988,05*
pro 2 Stück

onsemi IGBT / 21 A ±10V max., 300 V 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

onsemi

ISL9V3040D3ST

ab € 1 972,50*
pro 2 500 Stück

onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 1200 V 153 W TO-247 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 153 W Gehäusegröße = TO-247

onsemi

FGH4L40T120LQD

ab € 1 951,353*
pro 450 Stück

onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 16.5V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = DIP Channel-Typ = N Pinanzahl = 39 Das on Semiconduct...

onsemi

NFAM0512L5BT

ab € 1 951,3503*
pro 90 Stück

Infineon IGBT-Modul / 1,8 kA Triple, 4500 V 4000 kW AG-IHVB190 (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 1,8 kA Kollektor-Emitter-Spannung = 4500 V Verlustleistung max. = 4000 kW Konfiguration = Single

Infineon

FZ1800R45HL4S7BPSA1

ab € 1 934,64*
pro Stück

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V EconoPIM (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 7 Gehäusegröße = EconoPIM

Infineon

FP75R12KT4BOSA1

ab € 1 921,89*
pro 10 Stück

Infineon IGBT-Modul / 75 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 385 W (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 385 W

Infineon

FP75R12KT4B11BOSA1

ab € 1 911,63*
pro 10 Stück

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