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  200v transistor  (297 gefilterte Angebote unter 17.429.598 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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VISHAY IRF9630PBF TRANSISTOR, MOSFET, P-KANAL (6 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8 ohm Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: ...
Vishay
IRF9630PBF
ab € 0,55544*
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 Stück
Infineon IPP110N20N3 G Transistor 200 V (4 Angebote)
Infineon
IPP110N20N3GXKSA1
ab € 4,27*
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 Stück
MULTICOMP PRO BU806 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-220 (1 Angebot) 
Wandlerpolarität: NPN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 200 V Produktpalette: - DC-Stromverstärkung hFE: 375 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C DC-Kollektorstrom: 8 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s)...
Multicomp
BU806
ab € 1,097*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: PLUS247™ Bereitschaftszeit: 420ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 9...
IXYS
IXTX110N20L2
ab € 26,74*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W (4 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 5,7A Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 75W Polarisie...
ST Microelectronics
IRF630
ab € 0,82*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9,45A; 25W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 9,45A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polaris...
ST Microelectronics
STF19NF20
ab € 0,87*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360...
IXYS
IXTP50N20P
ab € 2,22*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 160ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W P...
IXYS
IXTQ74N20P
ab € 3,62*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 714W...
IXYS
IXTK120N20P
ab € 7,73*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W ...
IXYS
IXTA50N20P
ab € 2,45*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 360W P...
IXYS
IXTQ50N20P
ab € 2,26*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolar; 200V; 9,45A; 90W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 9,45A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polaris...
ST Microelectronics
STP19NF20
ab € 0,91*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220FP Bereitschaftszeit: 150ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W...
IXYS
IXTP50N20PM
ab € 4,97*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO3P Bereitschaftszeit: 180ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 714W ...
IXYS
IXTQ120N20P
ab € 7,14*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 74A; 480W; TO247-3 (3 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 74A Widerstand im Leitungszustand: 34mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480...
IXYS
IXFH74N20P
ab € 4,08*
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