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  dfe252010pr33m=p2  (21 Angebote unter 17 299 149 Artikeln)

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Toko DFE252012P Drosselspule, 2,2 μH 3.4A mit Eisenpulver-Kern, 2012 Gehäuse 2.5mm / ±20% (1 Angebot) 
Induktivität = 2,2 μH Gleichstrom max. = 3.4A Gehäuse-Form = 2012 Länge = 2.5mm Tiefe = 2mm Höhe = 1.2mm Abmessungen = 2.5 x 2 x 1.2mm Geschirmt = Ja Toleranz = ±20% Gleichstromwiderstand max. = 84...
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DFE252012P-2R2M=P2
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Toko DFE252012P SMD Induktivität, 2,2 μH 3.4A mit Eisenpulver-Kern, 1008 (2520) Gehäuse 2.5mm / ±20% (1 Angebot) 
Induktivität = 2,2 μH Gleichstrom max. = 3.4A Gehäuse-Form = 1008 (2520) Länge = 2.5mm Tiefe = 2mm Höhe = 1.2mm Abmessungen = 2.5 x 2 x 1.2mm Geschirmt = Ja Toleranz = ±20% Gleichstromwiderstand ma...
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DFE252012P-2R2M=P2
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MURATA DFE252010F-3R3M=P2 INDUKTIVITÄT 3.3UH 1.6A 20% DRAHTGEW. (1 Angebot) 
Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivität: 3.3 µH Produktpalette: DFE252010F DC-Widerstand, max.: 0.17 ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Produktbreite: 2 mm Produkthöhe: 1 mm Produktlänge: 2.5 ...
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DFE252010F-3R3M=P2
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MURATA DFE252012P-3R3M=P2 LEISTUNGSINDUKTIVITÄT 3.3UH GESCH, 2A (1 Angebot) 
RMS-Strom Irms: - Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivität: 3.3 µH Produktpalette: DFE252012P Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] Sättigungsstrom (Isat): 2 A DC-Widerstand...
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DFE252012P-3R3M=P2
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MURATA DFE252012F-R33M=P2 INDUKTIVITÄT 330NH 5.1A 20% DRAHTGEW. (1 Angebot) 
Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivität: 330 nH Produktpalette: DFE252012F Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Produktbreite: 2 mm DC-Widersta...
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DFE252012F-R33M=P2
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MURATA DFE252012PD-3R3M=P2 INDUKTIVITÄT DRAHTGEW. 3.3UH/1.7A AUTO (1 Angebot) 
RMS-Strom Irms: - Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivität: 3.3 µH Produktpalette: DFE252012P_D Bauform/Gehäuse der Induktivität: - Sättigungsstrom (Isat): 2.1 A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) ...
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DFE252012PD-3R3M=P2
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