Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  > Feldeffekttransistor

  Feldeffekttransistor  (262 Angebote unter 17.420.177 Artikeln)

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Feldeffekttransistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Feldeffekttransistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, BUZ71-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ71-T
ab € 1,59*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF640-PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
IRF640-PBF
ab € 0,94*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...
COMSET Semiconductors
IRF830PBF
ab € 0,59*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, 100 V, 34 A, TO-220, BUZ2 (1 Angebot) 
Transistor, C67078-S1333-A2, COMSET Features * N-Kanal * Anreicherungs-Modus * Avalanche-bewertet
COMSET Semiconductors
BUZ22
ab € 1,57*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ12-T
ab € 2,06*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ31 (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ31, 200 V, 14,5 A, 0,2 Ohm, TO220
COMSET Semiconductors
BUZ31
ab € 1,27*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, SOT-323, BSS123W-7-F (4 Angebote) 
MOSFET, BSS123W-7-F, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiz...
Diodes
BSS123W-7-F
ab € 0,0384*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1 A, SOT-89, ZXMN10A07ZTA (3 Angebote) 
MOSFET, ZXMN10A07ZTA, Diodes Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hochef...
Diodes
ZXMN10A07ZTA
ab € 0,20*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 1.4 A, TO-236, ZXM61N03FTA (3 Angebote) 
MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigk...
Diodes
ZXM61N03FTA
ab € 0,132*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F (4 Angebote) 
Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS. Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes
Diodes
BSS123-7-F
ab € 0,0295*
pro Stück
 
 Packungen
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 300 mA, TO-236, 2N7002E-7-F (4 Angebote) 
N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000. Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperat...
Diodes
2N7002E-7-F
ab € 0,0256*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 4.6 A, TO-236, ZXMN3F30FHTA (3 Angebote) 
MOSFET, ZXMN3F30FHTA, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der mit einer Gate-Ansteuerung von 4,5 V erreicht wird. Features * Niedr...
Diodes
ZXMN3F30FHTA
ab € 0,133*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal Self-Protected LOW-SIDE IntelliFET MOSFET Switch, 60 V, 1.3 A, TO (3 Angebote) 
Transistoren Reihe BSP. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BSP75NTA, SOT223, Diodes
Diodes
BSP75NTA
ab € 0,49*
pro Stück
 
 Stück
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7 (4 Angebote) 
MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodur...
Diodes
DMN65D8L-7
ab € 0,01747*
pro Stück
 
 Packungen
Diodes N-Kanal Vertical DMOS FET, 40 V, 90 mA, TO-92, ZVN0545A (2 Angebote) 
MOSFET NFET en Reihe ZVN. Typ: ZVN0545A, TO9
Diodes
ZVN0545A
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   18   vorwärts

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.