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  igbt module abb  (40 gefilterte Angebote unter 18 357 661 Artikeln)

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"IGBT Module"

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Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A K...
ABB
5SNE 0800E330100
€ 1 989,73*
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 Stück
Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 3,3kV; Ic: 1kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1kA Ko...
ABB
5SNE 1000E330300
€ 1 968,40*
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 Stück
Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 2,4kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2,4kA ...
ABB
5SNE 2400E170300
€ 1 873,15*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 1,7kV; Ic: 1,6kA (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,6kA ...
ABB
5SNE 1600E170300
€ 1 670,87*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; boost chopper,buck chopper; Urmax: 4,5kV; Ic: 800A (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A K...
ABB
5SNE 0800G450300
€ 2 346,18*
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 Stück
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA Elektr...
ABB
5SNE 0800M170100
€ 1 388,48*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SNA 2000K451300
€ 8 239,34*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 1,3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,3kA Kollektorstrom im Impuls: 2,6kA...
ABB
5SNA 1300K450300
€ 6 471,00*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ele...
ABB
5SJA 3000L520300
€ 10 989,27*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 3kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 3kA Kollektorstrom im Impuls: 6kA Ele...
ABB
5SNA 3000K452300
€ 9 032,59*
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 Stück
Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 3,3kV; Ic: 800A; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 8...
ABB
5SNA 0800N330100
€ 1 636,58*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x2; Urmax: 6,5kV; Ic: 500A; HIPAK; SPT+ (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 6,5kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 5...
ABB
5SNA 0500J650300
€ 2 152,83*
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 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 4,5kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 4,5kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SNA 2000K452300
€ 5 972,30*
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Modul: IGBT; IGBT Halbbrücke x3; Urmax: 3,3kV; Ic: 1,2kA; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 3,3kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1...
ABB
5SNA 1200G330100
€ 2 582,67*
pro Stück
 
 Stück
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 5,2kV; Ic: 2kA; STAKPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: STAKPAK Rückspannung max.: 5,2kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2kA Kollektorstrom im Impuls: 4kA Ele...
ABB
5SJA 2000L520301
€ 7 591,11*
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