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  IGBT  (2.517 Angebote unter 17.431.953 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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Infineon IGBT / 65 A ±30V max., 650 V 160 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 160 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
ab € 1,73*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 62 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Anzahl an Transistoren = 1 Konfiguration = Single Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfig...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
ab € 2,11*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; EAus: 0,09mJ; EEin: 0,12mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,7V Kollektor-Emitter-Strom: 6A K...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD6B60M1
ab € 0,36*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 600 A 20V max., 1200 V 20 mW (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW
Infineon
FF600R12ME4WB73BPSA1
ab € 261,95*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO220-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO220-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
IGP40N65H5XKSA1
ab € 1,70*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 70 A ±20V max. , 650 V 145 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 145 W Gehäusegröße = To-247-3-HCC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinan...
Infineon
IKWH70N65WR6XKSA1
ab € 3,57*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 7,5 A 20V max. , 600 V 6,8 W PG-SOT223-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 7,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 6,8 W Gehäusegröße = PG-SOT223-3
Infineon
IKN04N60RC2ATMA1
ab € 819,93*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der bipolare Transi...
Infineon
AIGW40N65H5XKSA1
ab € 4,12*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 80A Kollektorstrom im Impuls: 240A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA60LD40
ab € 16,69*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 255 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Der Infineon I...
Infineon
IKW40N65F5FKSA1
ab € 2,51*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 75A; 300W; TO247; EAus: 1,3mJ; EEin: 3,7mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,72V Kollektor-Emitter-Strom: 75A...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK75B60D1
ab € 3,64*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 70 A ±20V max. 6-fach, 1200 V 400 W, 23-Pin N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 400 W Konfiguration = Common Emitter Montage-Typ = Tafelmontage Channel-...
Infineon
TDB6HK124N16RRBPSA1
ab € 84,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; EAus: 0,46mJ; EEin: 1,27mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,9V Kollektor-Emitter-Strom: 40A ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H1
ab € 2,16*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 93A Kollektorstrom im Impuls: 225A Anschaltzeit...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GN60LDQ3G
ab € 10,49*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 74 A 30V max. , 650 V 255 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 74 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 30V Verlustleistung max. = 255 W Gehäusegröße = PG-TO220 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Kon...
Infineon
IKP40N65F5XKSA1
ab € 2,31*
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