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  IGBT  (2.508 Angebote unter 17.412.476 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"IGBT"

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Infineon IGBT / 80 A ±20.0V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20.0V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
ab € 7,30*
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 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO247-4 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 54A Kollektorstrom im Impuls: 200A Anschaltze...
Infineon
IGZ50N65H5XKSA1
ab € 1,95*
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Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = PG-TO263-3 Pinanzahl = 3
Infineon
AIKW50N60CTXKSA1
ab € 6,25*
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 Stück
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 580A Anschaltzeit: 277ns Ausschal...
IXYS
IXBK75N170
ab € 49,17*
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Transistor: IGBT; 650V; 50A; 250W; TO247; EAus: 1,03mJ; EEin: 2,09mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO247 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,72V Kollektor-Emitter-Strom: 50A...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK50B65M2
ab € 2,23*
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 Stück
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO264 Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±25V Kollektor-Emitter-Strom: 64A Kollektorstrom im Impuls: 600A Anschaltzeit: 632ns Ausschal...
IXYS
IXBK64N250
ab € 133,70*
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Infineon IGBT / 83 A ±20V max., 650 V 251 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 83 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 251 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IHW50N65R6XKSA1
ab € 2,26*
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 Stück
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; EAus: 0,049mJ; EEin: 0,081mJ (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±30V Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 2,5V Kollektor-Emitter-Strom: 5A K...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD5B65N1
ab € 0,40*
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 Stück
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon bipolare Trans...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
ab € 7,99*
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 Stück
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2A Kollektorstrom im Impuls: 13A Anschaltzeit: 310ns Ausschaltz...
IXYS
IXBT2N250
ab € 14,69*
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Infineon IGBT / 900 A 20V max., 1200 V 20 mW AG-ECONOD N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 900 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 20 mW Gehäusegröße = AG-ECONOD Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration ...
Infineon
FF900R12ME7B11BOSA1
ab € 266,79*
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 Stück
Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3 (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 305 W Gehäusegröße = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
ab € 2,81*
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 Stück
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Kollektor-Emitter-Spannung: 3kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom im Impuls: 400A Anschaltzeit: 652ns Ausschal...
IXYS
IXBT42N300HV
ab € 42,68*
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 Stück
Infineon IGBT / 85 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 227 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 85 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20 V, ±30 V Verlustleistung max. = 227 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3
Infineon
IGW30N65L5XKSA1
ab € 2,32*
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 Stück
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 650 V 282 W, 3-Pin PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 282 W Gehäusegröße = PG-TO247-3 Pinanzahl = 3 Der Infineon Reverse-leitfä...
Infineon
IHW50N65R5XKSA1
ab € 1,59*
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