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  imbg65r163m1hxtma1  (2 Angebote unter 17 550 783 Artikeln)

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INFINEON IMBG65R163M1HXTMA1 MOSFET, SIC, N-KANAL, 650V, 17A, TO-263 (2 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163 ohm Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series MSL: - Anzahl der Pins: 7 Pin(s) MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal ...
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Infineon IMBG65R163M1HXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 17 A, 7-Pin TO-263-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-263-7 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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IMBG65R163M1HXTMA1
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