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Infineon IRF1010Z Transistor 60 V (3 Angebote)
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IRF1010ZPBF
ab € 0,64*
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Evaluationsboard, CoolGaN-HEMT-MOSFETs, Vollbrücken-Totem-Pole-PFC, 2500W (2 Angebote) 
Produktpalette: - Prozessorhersteller: Infineon Unterart Anwendung: Blindstromkompensation (PFC) Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE3PCS01G Kit-Anwendungsbereich: Power-Management SVHC: No ...
Infineon
EVAL2500WPFCGANATOBO1
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Bipolartransistor, NPN, 600 mA, 40 V, SMD, SOT-23, SMBT2222AE6327 (1 Angebot) 
Bipolartransistor, SMBT2222AE6327, Infineon Technologies Features * Niedrige Stromverstärkung * Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung * Pb-frei und RoHs-konform
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SMBT2222AE6327
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Infineon HEXFET IRF5210LPBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 38 A 3,1 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = I2PAK (TO-262) Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ Channel-Modus = En...
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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 V Betriebstemperatur, ...
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SMBT2907AE6327HTSA1
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Infineon BFP520F Transistor (2 Angebote)
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BFP520FH6327XTSA1
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Infineon HEXFET IRF540ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 36 A 92 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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Halbbrückentreiber, 2A, 11.5V bis 20V, SSOP-24 (2 Angebote) 
Quellstrom: 2 A Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 24 Pin(s) Sinkstrom: 3 A Treiberkon...
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Bipolartransistor, NPN, 65 mA, 12 V, SMD, SOT-23, BFR183E6327 (1 Angebot) 
Bipolartransistor, BFR183E6327, Infineon Technologies Der BFR183E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Breitbandverstärker mit hoher Verstärkung verwendet wird. Feature...
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Infineon HEXFET IRFB4110PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (1 Angebot) 
Produktpalette: BCR35PN Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
Infineon
BCR35PNH6327XTSA1
ab € 0,07318*
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Infineon BFP640ESD Transistor (3 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF1018EPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 79 A 110 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 79 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Channel-Modus = Enhancemen...
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Infineon BGS16MN14 (1 Angebot)
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BGS16MN14E6327XTSA1
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Bipolartransistor, NPN, 80 mA, 12 V, SMD, SOT-143, BFP193E6327 (2 Angebote) 
Bipolartransistor, BFP193E6327, Infineon Technologies Der BFP193E6327 ist ein rauscharmer bipolarer Silizium-HF-Transistor, der für Hochleistungsverstärker verwendet wird. Features * Niedrige Strom...
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