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"Jfet"

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NXP PMBFJ109,215. RF JFET, N CH, 25V, 40MA, 3-SOT-23, Tran (3 Angebote) 
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -2 V Bauform - Transistor: SOT-23 MSL: - Produktpalette: - Durchbruchspannung Vbr: -25 V Anzahl der Pins: 3 Pin SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Qualifizierungs...
NXP
PMBFJ109,215.
ab € 0,13916*
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ON SEMICONDUCTOR J175 D26Z TRANSISTOR, JFET, 30V, -60mA, TO-92-3, B (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-92 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: -60 mA Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 V MSL: MSL 1 - Unlimited Betriebstemperatur, ...
ON Semiconductor
J175 D26Z
ab € 0,17459*
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NXP PMBF4393,215 TRANSISTOR JFET, N-KANAL, 40V, SOT-23 (2 Angebote) 
Betriebsfrequenz, max.: - Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Verlustleistung Pd: 250 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Dauer-Drainstrom Id: 30 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt ...
NXP
PMBF4393,215
ab € 0,12655*
pro Stück
 
 Stück
NXP BFR31,215 JFET, N-KANAL, 25V, 0.005A, SOT-23 (2 Angebote) 
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1 mA Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -2.5 V Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 5 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Durchbruchspannung V...
NXP
BFR31,215
ab € 0,14601*
pro Stück
 
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NXP PMBFJ175,215 JFET, P-KANAL, 30V, 0.03A, SOT23 (2 Angebote) 
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 7 mA Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 V Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 70 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Durchbruchspannung Vbr...
NXP
PMBFJ175,215
ab € 0,12849*
pro Stück
 
 Stück
NXP PMBF4391,215 TRANSISTOR JFET, N-KANAL, 40V, SOT-23 (2 Angebote) 
Betriebsfrequenz, max.: - Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Verlustleistung Pd: 250 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Dauer-Drainstrom Id: 150 mA Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt...
NXP
PMBF4391,215
ab € 0,09103*
pro Stück
 
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ON SEMICONDUCTOR CPH3910-TL-E TRANSISTOR, JFET, N-KANAL, 25V, SOT-23 (1 Angebot) 
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 mA Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.8 V Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 40 mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Durchbruchspannung...
ON Semiconductor
CPH3910-TL-E
ab € 0,10513*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 1,2kV; 14A (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Transistor-Art: Kaskoden- Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Drain-Source Spannung: 1.2kV Drainstrom: 14A W...
UNITEDSIC
UJC1210K
ab € 19,20*
pro Stück
 
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 1,2kV; 192W (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Transistor-Art: Kaskoden- Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Drain-Source Spannung: 1.2kV Drainstrom: 24.5A...
UNITEDSIC
UJC1206K
ab € 28,93*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 1,2kV; 47A (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Art: Kaskoden- Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate Transistor-Typ: N-JF...
UNITEDSIC
UJ3C120040K3S
ab € 33,28*
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Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; Kaskoden-; 650V; 23,5A (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Transistor-Art: Kaskoden- Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 23.5A ...
UNITEDSIC
UJC06505K
ab € 14,65*
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 Stück
Transistor: N-JFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 21A; 136W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Typ: N-JFET Drain-Source Spannung: 1.2kV Drainstrom: 21A Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ ...
UNITEDSIC
UJN1208K
ab € 13,77*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 38A; 230W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: UnitedSiC Gehäuse: TO247-3 Montage: THT Polarisierung: unipolar Technologie: SiC Transistor-Typ: N-JFET Drain-Source Spannung: 1.2kV Drainstrom: 38A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ ...
UNITEDSIC
UJN1205K
ab € 23,78*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Polarisierung: unipolar Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle; Band Gehäuse: SC59 Transistor-Typ: N-JFET Gatestrom: 10mA Leistung: 150mW Drainstrom: 14mA Gate-Source Spannung: -50V
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
ab € 0,225*
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Transistor: N-JFET; unipolar; 100mW; SC59; 10mA (1 Angebot) 
Hersteller: TOSHIBA Verpackungs-Art: Rolle; Band Montage: SMD Gehäuse: SC59 Polarisierung: unipolar Transistor-Typ: N-JFET Gatestrom: 10mA Leistung: 100mW Gate-Source Spannung: -50V
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
ab € 0,145*
pro Stück
 
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