Junction-FET  (204 Angebote unter 17.409.785 Artikeln)

Operationsverstärker, TL081CP, TI Der TL081CP bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis für kostensensitive Anwendungen und zeichnet sich durch einen geringen Offset (typisch 1 mV), eine...

Operationsverstärker der Reihe LF. Technische Merkmale (Typ, Ausführung, Gehäuse, Hersteller): LF351M, große Bandbreite, JFET-Eingang, SO8

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 13 V/µs Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Anstiegsrate: 13 V/µs Versorgungsspannung: 7V bis 36V Eingangsruh...

Operationsverstärker, TL061CDR, TI Der TL061CDR ist ein Operationsverstärker mit JFET-Eingang, der als Low-Power-Gerät konzipiert ist. Er zeichnet sich durch eine hohe Eingangsimpedanz, eine große ...

Operationsverstärker, TL081CD, TI Der TL081CD bietet ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis für kostensensitive Anwendungen und zeichnet sich durch einen geringen Offset (typisch 1 mV), eine...

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 13 V/µs Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 3 mV IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anstiegsrate: 13 V/µs Versorgungsspannung: 7V bis 36V Eingangsr...

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 13 V/µs Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 2 mV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Anstiegsrate: 13 V/µs Versorgungsspannung: 7V bis 36V Eingangsru...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Spannungsanstieg: 8 V/µs Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 2 mV IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Anstiegsrate: 8 V/µs Versorgungsspannung: 7V bis...

Produktpalette: - MSL: - Spannungsanstieg: 13 V/µs Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Eingangsoffsetspannung: 2 mV IC-Gehäuse / Bauform: DIP Anstiegsrate: 13 V/µs Versorgungsspannung: 7V bis 36V Eingangsruh...

Verstärker-Typ = JFET Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = SOIC Stromversorgungs-Typ = Dual Anzahl der Kanäle pro Chip = 2 Pinanzahl = 8 Verstärkungsbandbreitenprodukt typ. = 1MHz Versorgungsspannung b...

MOSFET NFET en Reihe 2N. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): 2N4392, TO18

Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -10 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl ...

Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 16 to 32mA Drain-Source-Spannung max. = 15 V Drain-Gate-Spannung max. = -15V Konfiguration = Single Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = CP Pinanzahl = ...

Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: -3 V Kanaltyp: n-Kanal Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ...

Channel-Typ = N IDS Drain-Source-Abschaltstrom = 16 to 32mA Drain-Source-Spannung max. = 15 V Drain-Gate-Spannung max. = -15V Transistor-Konfiguration = Einfach Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = CP ...