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"Leistungstransistor"

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Leistungstransistor TO-126 NPN 160 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-126 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 160 V Transitfrequenz: 140 MHz Verlustleistung: 1 W Verstärkung: 60 ...200 Verstärkung max.: 200 Verstärkung min.: 60
NTE Electronics
NTE373
ab € 1,2461*
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P-Kanal MOSFET SPD15P10PGBTMA1, 100 V, 15 A, 240 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 128 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD15P10PGBTMA1
ab € 0,56*
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS MAX2602ESA+ HF-LEISTUNGSTRANSISTOR 1GHZ 3.6V NSOIC-8 (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, max.: 1 GHz Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Versorgungsspannung, max.: 3.6 V Bauform - HF-IC: NSOIC Vers...
Maxim Integrated
MAX2602ESA+
ab € 2,59*
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 Stück
Leistungstransistor TO-126 NPN 80 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-126 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 80 V Transitfrequenz: 2 MHz Verlustleistung: 40 W Verstärkung: 20 ...80 Verstärkung max.: 80 Verstärkung min.: 20
NTE Electronics
NTE184
ab € 1,3434*
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P-Kanal MOSFET SPB80P06PGATMA1, 60 V, 80 A, 23 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 340 W, Serie SIPMOS Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source S...
Infineon
SPB80P06PGATMA1
ab € 1,57*
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MAXIM INTEGRATED PRODUCTS MAX2601ESA+ HF-LEISTUNGSTRANSISTOR 1GHZ 3.6V NSOIC-8 (1 Angebot) 
Betriebstemperatur, max.: 85 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Frequenz, max.: 1 GHz Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40 ᄚC Versorgungsspannung, max.: 3.6 V Bauform - HF-IC: NSOIC Vers...
Maxim Integrated
MAX2601ESA+
ab € 2,20*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor TO-126 PNP -160 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-126 Polarität: PNP Kollektor-Emitter Spannung: -160 V Transitfrequenz: 140 MHz Verlustleistung: 1 W Verstärkung: 60 ...200 Verstärkung max.: 200 Verstärkung min.: 60
NTE Electronics
NTE374
ab € 1,2752*
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, Infineon BCR450BOARDTOBO1, LED-Treiberevaluierungskit BCR450 (1 Angebot) 
LED-Technologie = LED-Treiber Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = BCR450 Infineon Evaluierungsplatine für BCR450 LED-Treiber. Die Infineon BCR450 Demoplatine basiert auf...
Infineon
BCR450BOARDTOBO1
ab € 21,76*
pro Stück
 
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Leistungstransistor TO-220 NPN 400 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-220 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 400 V Transitfrequenz: 4 MHz Verlustleistung: 80 W Verstärkung: 8 ...60 Verstärkung max.: 60 Verstärkung min.: 8
NTE Electronics
NTE2312
ab € 3,48*
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P-Kanal MOSFET SPD08P06PGBTMA1, 60 V, 8,8 A, 300 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,8 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source...
Infineon
SPD08P06PGBTMA1
ab € 0,37*
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Leistungstransistor TO-220 NPN 400 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-220 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 400 V Transitfrequenz: 4 MHz Verlustleistung: 100 W Verstärkung: 8 ...40 Verstärkung max.: 40 Verstärkung min.: 8
NTE Electronics
NTE379
ab € 7,01*
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P-Kanal MOSFET SPB18P06PGATMA1, 60 V, 18,6 A, 130 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 81,1 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 18,6 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Sourc...
Infineon
SPB18P06PGATMA1
ab € 0,68*
pro Stück
 
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Leistungstransistor TO-220 NPN 60 V (1 Angebot) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-220 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 60 V Transitfrequenz: 10 MHz Verlustleistung: 50 W Verstärkung: 40 ...200 Verstärkung max.: 200 Verstärkung min.: 40
NTE Electronics
NTE152
ab € 2,62*
pro Stück
 
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P-Kanal MOSFET SPD09P06PLGBTMA1, 60 V, 9,7 A, 400 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie SIPMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
SPD09P06PLGBTMA1
ab € 0,28*
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Leistungstransistor TO-220 NPN 80 V (2 Angebote) 
Leistungstransistor Gehäusetyp: TO-220 Polarität: NPN Kollektor-Emitter Spannung: 80 V Transitfrequenz: 50 MHz Verlustleistung: 50 W Verstärkung: ...40 Verstärkung max.: 40
NTE Electronics
NTE377
ab € 2,07*
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