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Hersteller: KYOCERA AVX Rückspannung max.: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom im Impuls: 800A Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schr...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: SIERRA WIREL...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom im Imp...

Hersteller: SIERRA WIRELESS Betriebstemperatur: -40...85°C Frequenz: 900MHz;1,8GHz Schnittstelle: I2C;USB;UART x2;GPIO;ADC Abmessungen: 22x23x2,5mm Kommunikationsmodul-Typ: GSM Übertragung: LTE CAT...

Hersteller: KYOCERA AVX Rückspannung max.: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom im Impuls: 150A Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schra...

Hersteller: BRIDGELUX Modul-Typ: IGBT

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom im Imp...

Hersteller: BRIDGELUX Modul-Typ: IGBT

Hersteller: KYOCERA AVX Rückspannung max.: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impuls: 300A Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schra...

Hersteller: BRIDGELUX Modul-Typ: IGBT

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Im...

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 1,6kA ...

Hersteller: KYOCERA AVX Rückspannung max.: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impuls: 600A Elektrische Montage: schraubbar Mechanische Montage: schra...

Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor;gemeinsamer Emitter;gemeinsames Gate Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 2,4kA ...

Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITOP3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 120A Kollektorstrom im Impu...