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N-Kanal MOSFET IRLR3410PBF, 100 V, 17 A, 105 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 79 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 105 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
IRLR3410PBF
ab € 0,549*
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N-Kanal MOSFET IRLR3410TRPBF, 100 V, 17 A, 155 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 79 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 155 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
IRLR3410TRPBF
ab € 0,489*
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N-Kanal MOSFET IRLR3705ZPBF, 55 V, 89 A, 8 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 130 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 89 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Span...
Infineon
IRLR3705ZPBF
ab € 3,57*
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N-Kanal MOSFET IRLR3717PBF, 20 V, 120 A, 4 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.45V Gate-Schwellenspannung min. = 1.55V Gate-Sour...
Infineon
IRLR3717PBF
ab € 3,515*
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N-Kanal MOSFET IRLR6225PBF, 20 V, 100 A, 5,2 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 63 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 5,2 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V Gate-Sour...
Infineon
IRLR6225PBF
ab € 3,08*
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N-Kanal MOSFET IRLR7807ZPBF, 30 V, 43 A, 14 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 40 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 43 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.25V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Gate-Sour...
Infineon
IRLR7807ZPBF
ab € 0,42*
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N-Kanal MOSFET IRLR7821PBF, 30 V, 65 A, 10 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 75 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 65 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spa...
Infineon
IRLR7821PBF
ab € 1,535*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET IRLR8726PBF, 30 V, 86 A, 6 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 75 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Gate-Sourc...
Infineon
IRLR8726PBF
ab € 3,28*
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N-Kanal MOSFET IRLR8743PBF, 30 V, 160 A, 3 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 135 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 160 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 3 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Gate-Sour...
Infineon
IRLR8743PBF
ab € 2,97*
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N-Kanal MOSFET MDD1903RH, 100 V, 12,8 A, 110 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 36,8 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Geh...
MagnaChip
MDD1903RH
ab € 7,125*
pro 25 Stück
 
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N-Kanal MOSFET MDD2N60RH, 600 V, 1,9 A, 4,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
MagnaChip
MDD2N60RH
ab € 0,311*
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N-Kanal MOSFET MDD3N40RH, 400 V, 2 A, 3,4 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 30 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
MagnaChip
MDD3N40RH
€ 14,25*
pro 50 Stück
 
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N-Kanal MOSFET MDD3N50GRH, 500 V, 2,8 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 45 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
MagnaChip
MDD3N50GRH
ab € 11,00*
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N-Kanal MOSFET MDD4N60RH, 600 V, 3,5 A, 2 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 67,5 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,5 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuse...
MagnaChip
MDD4N60RH
ab € 0,30*
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N-Kanal MOSFET MDD5N40RH, 400 V, 3,4 A, 1,6 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 45 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 400 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,6 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
MagnaChip
MDD5N40RH
€ 17,25*
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