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N-Kanal MOSFET FDD6530A, 20 V, 21 A, 48 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 33 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 48 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gehäuseg...
ON Semiconductor
FDD6530A
ab € 992,825*
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NEXPERIA BUK9226-75A,118 MOSFET, N-KANAL, 75V, 45A, DPAK (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 1.5 V Verlustleistung Pd: 114 W Dauer-Drainstrom Id: 45 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: SOT-428 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVH...
NEXPERIA
BUK9226-75A,118
ab € 0,32973*
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N-Kanal MOSFET FDD5670, 60 V, 52 A, 26 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 83 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5670
€ 2.575,30*
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N-Kanal MOSFET FDD8445, 40 V, 70 A, 16 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 79 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD8445
ab € 1.224,00*
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N-Kanal MOSFET FDD6635, 35 V, 59 A, 16 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 59 A Drain-Source-Spannung max. = 35 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6635
ab € 1.275,80*
pro 2.500 Stück
 
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98%
N-Kanal MOSFET FDD6530A, 20 V, 21 A, 48 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 33 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 48 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gehäuseg...
ON Semiconductor
FDD6530A
ab € 3,12*
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N-Kanal MOSFET FDD8880, 30 V, 58 A, 15 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8880
ab € 819,35*
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N-Kanal MOSFET FDD8878, 30 V, 40 A, 24 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 40 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8878
ab € 789,80*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD6635, 35 V, 59 A, 16 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 59 A Drain-Source-Spannung max. = 35 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6635
ab € 4,88*
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N-Kanal MOSFET FDD8882, 30 V, 55 A, 19 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8882
ab € 3,23*
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P-Kanal MOSFET FDD4243, 40 V, 6,7 A, 69 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,7 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD4243
ab € 630,75*
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N-Kanal MOSFET FDD8451, 40 V, 28 A, 41 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 30 W, Serie PowerTrench Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD8451
ab € 0,41211*
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N-Kanal MOSFET STD2N95K5, 950 V, 2 A, 5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 45 W, Serie MDmesh K5, SuperMESH5 Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spann...
ST Microelectronics
STD2N95K5
ab € 3,68*
pro 5 Stück
 
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P-Kanal MOSFET FDD4685, 40 V, 8,4 A, 42 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 8,4 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD4685
ab € 1.170,875*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD8878, 30 V, 40 A, 24 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 40 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8878
ab € 3,22*
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