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P-Kanal MOSFET FDD6685, 30 V, 11 A, 30 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 52 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 30 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6685
ab € 1.214,825*
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N-Kanal MOSFET FDD8882, 30 V, 55 A, 19 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8882
ab € 889,20*
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N-Kanal MOSFET STD2N95K5, 950 V, 2 A, 5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 45 W, Serie MDmesh K5, SuperMESH5 Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 950 V Drain-Source-Widerstand max. = 5 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spann...
ST Microelectronics
STD2N95K5
ab € 1.065,95*
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P-Kanal MOSFET FDD306P, 12 V, 6,7 A, 90 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 52 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,7 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD306P
ab € 788,15*
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P-Kanal MOSFET FDD4243, 40 V, 6,7 A, 69 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,7 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 69 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.4V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD4243
ab € 2,54*
pro 10 Stück
 
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P-Kanal MOSFET FDD6637, 35 V, 55 A, 19 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 57 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 55 A Drain-Source-Spannung max. = 35 V Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6637
ab € 1.089,90*
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STMICROELECTRONICS STD5N52U MOSFET, N-KANAL, 525V, 4.4A, DPAK (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 3.75 V Verlustleistung Pd: 70 W Dauer-Drainstrom Id: 4.4 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC: No SVHC (17-De...
ST Microelectronics
STD5N52U
ab € 0,43419*
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N-Kanal MOSFET FDD3682, 100 V, 32 A, 90 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 32 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
Fairchild
FDD3682
ab € 0,75*
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DIODES INC. ZXMP10A18KTC MOSFET, P-KANAL, 100V, 3.8A, DPAK (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: -4 V Verlustleistung Pd: 4.3 W Dauer-Drainstrom Id: -5.9 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVH...
Diodes
ZXMP10A18KTC
ab € 0,47911*
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N-Kanal MOSFET FDD5353, 60 V, 11,5 A, 20 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD5353
ab € 3,89*
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N-Kanal MOSFET FDD3672, 100 V, 6,5 A, 28 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 135 W, Serie UltraFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3672
ab € 3,11*
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N-Kanal MOSFET FDD6630A, 30 V, 21 A, 58 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 28 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 58 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6630A
ab € 1,09*
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N-Kanal MOSFET FDD6612A, 30 V, 30 A, 33 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 36 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6612A
ab € 1,42*
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N-Kanal MOSFET FDD3860, 100 V, 29 A, 64 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD3860
ab € 2,41*
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N-Kanal MOSFET FDD8444, 40 V, 145 A, 9,4 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 153 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 145 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8444
ab € 1,45*
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