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DRDC3105F-7, 1-Kanal MOSFET-Leistungstreiber 500mA, 3 → 5 V 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung min. = 3 V Arbeitsspannnung max. = 5 V Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 500mA Anzahl der Ausgänge = 1 Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Breite = 1...
Diodes
DRDC3105F-7
ab € 1,875*
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LTC4440ES6#TRMPBF, 1-Kanal Vollbrücke MOSFET-Leistungstreiber 4A 6-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung max. = 80 V Topologie = Hochspannungsseite Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 4A Anzahl der Ausgänge = 1 Polarität = Non-Inverting Gehäusegröße = SOT-...
Linear Technology
LTC4440ES6#TRMPBF
ab € 2,509*
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N-Kanal MOSFET BSR302NL6327HTSA1, 30 V, 3,7 A, 36 mΩ, SOT-346 (SC-59) 3-Pin, 500 mW, Serie OptiMOS 2 Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source ...
Infineon
BSR302NL6327HTSA1
ab € 11,70*
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N-Kanal MOSFET FDN337N, 30 V, 2,2 A, 65 mΩ, SOT-23 3-Pin, 500 mW Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Gate-Source ...
ON Semiconductor
FDN337N
ab € 272,85*
pro 3.000 Stück
 
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N-Kanal MOSFET IXFN102N30P, 300 V, 86 A, 33 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 570 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
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IXFN102N30P
ab € 13,993*
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N-Kanal MOSFET IXFN140N20P, 200 V, 115 A, 18 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 680 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 115 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
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IXFN140N20P
ab € 15,997*
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N-Kanal MOSFET IXFN140N30P, 300 V, 115 A, 24 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 700 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 115 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
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IXFN140N30P
ab € 19,506*
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N-Kanal MOSFET IXFN180N15P, 150 V, 150 A, 11 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 680 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 150 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
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N-Kanal MOSFET IXFN24N100, 1000 V, 24 A, 390 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 568 W, Serie HiperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 1000 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Ge...
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IXFN24N100
ab € 32,004*
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N-Kanal MOSFET IXFN36N100, 1000 V, 36 A, 240 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 700 W, Serie HiperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 1000 V Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
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IXFN36N100
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N-Kanal MOSFET IXFN48N60P, 600 V, 40 A, 140 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 625 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Geh...
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N-Kanal MOSFET IXFN60N80P, 800 V, 53 A, 140 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 1,04 kW, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 53 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
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N-Kanal MOSFET IXFN64N50P, 500 V, 61 A, 85 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 700 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 61 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
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N-Kanal MOSFET IXFN80N50P, 500 V, 66 A, 65 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 700 W, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 66 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
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N-Kanal MOSFET IXFN82N60P, 600 V, 72 A, 75 mΩ, SOT-227B 4-Pin, 1,04 kW, Serie HiperFET, Polar Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 72 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
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IXFN82N60P
ab € 22,46*
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