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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 100mA; 360mW; SOT23; SIPMOS™ (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 240V Drainstrom: 100mA Leistung: 360mW Gehäuse: SOT23 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 14Ω Montage: ...
Infineon
BSS131H6327XTSA1
ab € 0,0393*
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 Stück
MOSFET N, 30 V 2.2 A 500 mW SOT-23 (4 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Marking: 337, Ansteuerung: logic level, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 500 mW
Fairchild
FDN337N
ab € 0,0869*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 115mA; 225mW; SOT23 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 115mA Leistung: 225mW Gehäuse: SOT23 Widerstand im Leitungszustand: 3.75Ω Montage: SMD Hersteller: LUGUANG EL...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7002
ab € 0,0171*
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MOSFET Fairchild Semiconductor FDV302P 1 P-Kanal 350 mW SOT-23-3 (3 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 25 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 ...
Fairchild
FDV302P
ab € 0,081*
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 Stück
MOSFET NXP Semiconductors PMBFJ108,215 1 N-Kanal 250 mW SOT-23 (2 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 25 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · C(ISS): 30 pF · C(ISS) Referenz-Spann...
NXP
PMBFJ108,215
ab € 0,18*
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 Stück
MOSFET N, 30 V 5.0 A 1.3 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Verlustleistung: 1.3 W
IR
IRLML6344TRPBF
ab € 0,25*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET, SOT-89-3, 500 V, 1 A, 0.74 W (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-89-3, Variante: Verarmungstyp, Verlustleistung: 0.74 W
Microchip Technology
LND150N8-G
ab € 0,43*
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VISHAY SI2333DS-T1-E3 P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FUL (3 Angebote) 
Beschreibung: P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FUL RoHS konform: Ja Hersteller: VISHAY Typ: SI2333DS-T1-E3
Vishay
SI2333DS-T1-E3
ab € 0,39733*
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 Stück
MOSFET P, 20 V 3.6 A 0.81 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.81 W
Diodes
DMP2035U-7
ab € 0,209*
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 Stück
MOSFET P, -25 V -0.46 A 350 mW SOT-23 (4 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 350 mW
Fairchild
FDV304P
ab € 0,0693*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET P, -30 V -2.6 A 1.25 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Verlustleistung: 1.25 W
IR
IRLML5203PBF
ab € 0,31*
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NXP PMBFJ110,215 JET, N-KANAL, 25V, SOT-23 (5 Angebote) 
Beschreibung: JET, N-KANAL, 25V, SOT-23 RoHS konform: Ja Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 10 mA Spannung, Ugs aus(V) max.: -500 mV Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: - SVHC: No SVHC...
NXP
PMBFJ110,215
ab € 0,11667*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 25 V 0.22 A 350 mW SOT-23 (4 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 350 mW
Fairchild
FDV301N
ab € 0,0345*
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 Stück
MOSFET N, 100 V 2.9 A 2 W SOT-223 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-223, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 2 W
Diodes
ZXMN10A08GTA
ab € 0,25*
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 Stück
NXP PMBFJ109,215 JET, N-KANAL, 25V, SOT-23 (5 Angebote) 
Beschreibung: JET, N-KANAL, 25V, SOT-23 RoHS konform: Ja Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: - Spannung, Ugs aus(V) max.: -2 V Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 40 mA SVHC: No SVHC (1...
NXP
PMBFJ109,215
ab € 0,12637*
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