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  MOSFET-Transistor  (25.483 Angebote unter 17.431.902 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Vishay IRFP140PBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 31 A TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT
Vishay
IRFP140PBF
ab € 2,81*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,68Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMK11N70C2
ab € 0,61*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 31W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 620mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipola...
WAYON
WML12N80M3
ab € 0,81*
pro Stück
 
 Stück
Vishay E SIHG17N80AE-GE3 N-Kanal MOSFET 800 V / 15 A, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-247AC Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2 → 4V Anza...
Vishay
SIHG17N80AE-GE3
ab € 1,66*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO251 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 2,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung: unipolar Ve...
WAYON
WMP05N80M3
ab € 0,225*
pro Stück
 
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Vishay IRFP460HPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 550 V / 20 A, 3-Pin TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Vishay
IRFP460HPBF
ab € 1,95*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 700V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 0,68Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 63W Polarisierung: unipolar V...
WAYON
WMM11N70C2
ab € 0,45*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 620mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 86W Polarisierung: unipolar ...
WAYON
WMM12N80M3
ab € 0,63*
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Vishay E SIHP15N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,304 Ω Gate-Schwellenspannung...
Vishay
SIHP15N80AE-GE3
ab € 0,91*
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 2,3Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung: unipolar Ve...
WAYON
WMO05N80M3
ab € 0,225*
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Vishay IRFPF40PBF N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 4,7 A TO-247AC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,7 A Drain-Source-Spannung max. = 900 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT
Vishay
IRFPF40PBF
ab € 2,45*
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO220FP Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,32Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 31W Polarisierung: unipola...
WAYON
WML16N60FD
ab € 0,79*
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Vishay IRFU024PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 14 A IPAK (TO-251) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = IPAK (TO-251) Montage-Typ = THT
Vishay
IRFU024PBF
ab € 1,15*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO251 (1 Angebot) 
Hersteller: WAYON Montage: THT Gehäuse: TO251 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,48Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polarisierung: unipolar...
WAYON
WMP13N80M3
ab € 0,66*
pro Stück
 
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Vishay E SIHP690N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A, 6,4 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,7 Ω Channel-Modus = En...
Vishay
SIHP690N60E-GE3
ab € 1,04*
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