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"MOSFET"

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MOSFET N, 500 V 14 A 180 W TO-247 (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-247 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 180 W
NTE Electronics
NTE2394
ab € 10,19*
pro Stück
 
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MOSFET N, 500 V 22 A 278 W TO-3P (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+150 °C Gehäusetyp: TO-3P Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 278 W
NTE Electronics
NTE2970
ab € 14,71*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (1 Angebot) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+175 °C Gehäusetyp: TO-220 Polarität: N Variante: Anreicherungstyp Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
ab € 4,77*
pro Stück
 
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Mosfet relais (1 Angebot) 
Mosfet relais Temperaturbereich: -40 ... +85 °C Gehäuse: SMD / DIP-6 Kontakte: 1 Schliesser (NO) Ausgangs AUS Zeit: 3 ms Ausgangs EIN Zeit: 3 ms Durchgangswiderstand: 23 Ohm LED Ansprechstrom: 2 mA...
IXYS
LCA110S
ab € 1,84*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON AUIRF1324WL. N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2 (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 240 A Wandlerpolarität: N Channel SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-262 Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Schwellenspannung Vgs: 2 V Produktpalette: - Betriebswiderst...
Infineon
AUIRF1324WL.
ab € 2,28*
pro Stück
 
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INFINEON IRF2903ZPBF. Mosfet IC, Transistor Polarity:N Channel (1 Angebot) 
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 V Produktpalette: - Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024 ohm SVHC: To Be Advised Drain-Source-Spannung Vds: 30 V Wandlerpolarität: N Channel MSL: - Verlustleistung Pd: 2...
Infineon
IRF2903ZPBF.
ab € 1,87*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRF8010STRLPBF. MOSFET Transistor, Transistor Polarity:N (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC Schwellenspannung Vgs: 20 V Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012 ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Rds(on)-Messspannung ...
Infineon
IRF8010STRLPBF.
ab € 1,0973*
pro Stück
 
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BROADCOM LIMITED ATF-34143-TR1G MOSFET, HF, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 10 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 65 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemper...
Broadcom
ATF-34143-TR1G
ab € 1,58*
pro Stück
 
 Stück
BROADCOM LIMITED ATF-54143-TR1G MOSFET, HF, HEMT, SOT-343 (1 Angebot) 
Betriebsfrequenz, max.: 6 GHz RoHS-konform bezüglich Phthalate: Ja Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Verlustleistung Pd: 725 mW Dauer-Drainstrom Id: 120 mA SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Betriebstemper...
Broadcom
ATF-54143-TR1G
ab € 1,65*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET IRF540PBF, 100 V, 28 A, 77 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 150 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 77 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
Vishay
IRF540PBF
ab € 6,17*
pro 5 Stück
 
 Paket
RS Pro Halbleiterrelais, DIN-Schienen, 11 → 30 V Spule, 1-poliger Schließer, MOSFET-Ausgang, 1 mA - 0,5 A (1 Angebot) 
Laststrom min. = 1 mA Laststrom max. = 0,5 A Montage Typ = DIN-Schienen Lastspannung min. = 10 V Lastspannung max. = 60 V Steuerspannung min. = 11 V Steuerspannung max. = 30 V Schalttyp = DC Kontak...
RS Pro
763220.011
ab € 58,18*
pro 5 Stück
 
 Paket
INFINEON IRF8513PBF. DUAL N CH MOSFET, 30V, 8A, SOIC, Transis (1 Angebot) 
Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - SVHC: To Be Advised Wandlerpolarität: Dual N Channel RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advised S...
Infineon
IRF8513PBF.
ab € 0,42442*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRFR48ZPBF. MOSFET, Leaded Process Compatible:Yes, P (1 Angebot) 
SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Dauer-Drainstrom Id: 42 A Wandlerpolarität: N Channel RoHS-konform bezüglich Phthalate: To Be Advi...
Infineon
IRFR48ZPBF.
ab € 0,58671*
pro Stück
 
 Stück
INFINEON IRS2127PBF. IC, MOSFET DRVR, Device Type:IGBT / MOSF (1 Angebot) 
Versorgungsspannung, max.: 20 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Eingabeverzögerung: 150 ns MSL: - Versorgungsspannung, min.: ...
Infineon
IRS2127PBF.
ab € 1,4177*
pro Stück
 
 Stück
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002-TP N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23, FU (1 Angebot) 
Drain-Source-Spannung Vds: 60 V RoHS-konform bezüglich Phthalate: Yes Schwellenspannung Vgs: 1 V Wandlerpolarität: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 ohm SV...
Micro Commercial Components
2N7002-TP
ab € 97,80*
pro 3.000 Stück
 
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
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Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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