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"MOSFET"

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VISHAY IRFR120PBF N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.7A, D-PAK, Tra (3 Angebote) 
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27 ohm Dauer-Drainstrom Id: 7.7 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Wandlerpolarität: N Channel Schwellenspannung Vgs: 4 V Betriebstemperatur, max.: 1...
Vishay
IRFR120PBF
ab € 0,66655*
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VISHAY IRFR9120PBF. P CHANNEL MOSFET, -100V, 5.6A D-PAK, Tra (3 Angebote) 
RoHS-konform bezüglich Phthalate: Yes Dauer-Drainstrom Id: -5.6 A Rds(on)-Messspannung Vgs: -10 V MSL: MSL 1 - Unlimited Schwellenspannung Vgs: -4 V Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6 ohm Drain-Sourc...
Vishay
IRFR9120PBF.
ab € 0,60812*
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N-Kanal MOSFET FDD3682, 100 V, 32 A, 90 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 32 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
Fairchild
FDD3682
ab € 0,702*
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N-Kanal MOSFET IRFR120ZPBF, 100 V, 8,7 A, 190 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 35 W, Serie HEXFET Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source ...
Infineon
IRFR120ZPBF
ab € 0,305*
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N-Kanal MOSFET IRLR120NPBF, 100 V, 10 A, 185 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 48 W, Serie HEXFET Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source S...
Infineon
IRLR120NPBF
ab € 0,31*
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MOSFET Infineon Technologies IRLR3110ZPBF 1 N-Kanal 140 W DPAK (1 Angebot) 
Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemper...
Infineon
IRLR3110ZPBF
ab € 1,10*
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