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"MOSFET"

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MOSFET Treiber FAN7093-F085, 2-Kanal 46A Halbbrücke D2PAK (TO-263) 7-Pin, 7 → 18 V (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 2 Arbeitsspannnung min. = 7 V Arbeitsspannnung max. = 18 V Topologie = Low / High Side Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 46A Anzahl der Ausgänge = 1 Polarität = Non-Inv...
ON Semiconductor
FAN7093-F085
ab € 4,65*
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ON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G N CHANNEL MOSFET, 150V, 6A, D-PAK, Trans (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: N Channel MSL: MSL 1 - Unlimited SVHC: Lead Betriebstemperatur, max.: 150 ?C Dauer-Drainstrom Id: 6 A Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Drain-Source-Spannun...
ON Semiconductor
MTD6N15T4G
ab € 0,51306*
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ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G. N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, D-PAK, FULL (3 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Dauer-Drainstrom Id: 20 A Produktpalette: - Schwellenspannung Vgs: 1.6 V Verlustleistung Pd: 60 W Bauform - Transistor: TO-252 Rds(o...
ON Semiconductor
NTD20N06LT4G.
ab € 0,32719*
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ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G. P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL (3 Angebote) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Schwellenspannung Vgs: -2.8 V Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Verlustleistung Pd: 55 W Wandlerpolarität: P Channel Produktpalette: - MSL: MSL 1 - ...
ON Semiconductor
NTD2955T4G.
ab € 0,25959*
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ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G. MOSFET Transistor, FULL REEL, Transistor (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.6 V Dauer-Drainstrom Id: 12 A Produktpalette: - Verlustleistung Pd: 48 W Rds(on)-Messspannung Vgs: 5 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebswiderstand,...
ON Semiconductor
NTD3055L104T4G.
ab € 0,20788*
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MOSFET Treiber NCV8405ADTRKG, 1-Kanal 6A DPAK 3-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung max. = 42 V Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 6A Anzahl der Ausgänge = 1 Gehäusegröße = DPAK Pinanzahl = 3 Breite = 6.22mm MOSFET- und IGBT-Treiber, ...
ON Semiconductor
NCV8405ADTRKG
ab € 0,75*
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N-Kanal MOSFET FCB11N60TM, 600 V, 11 A, 380 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 125 W, Serie SuperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FCB11N60TM
ab € 1,60*
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N-Kanal MOSFET FCD9N60NTM, 600 V, 9 A, 390 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 92,6 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD9N60NTM
ab € 1,63*
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N-Kanal MOSFET FCB11N60TM, 600 V, 11 A, 380 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 125 W, Serie SuperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 380 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FCB11N60TM
ab € 1,51*
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N-Kanal MOSFET FCB20N60TM, 600 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 208 W, Serie SuperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FCB20N60TM
ab € 2,48*
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N-Kanal MOSFET FDB088N08, 75 V, 120 A, 8,8 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 160 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Drain-Source-Widerstand max. = 8,8 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDB088N08
ab € 1,97*
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N-Kanal MOSFET FCB20N60FTM, 600 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 208 W, Serie SuperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FCB20N60FTM
ab € 4,68*
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N-Kanal MOSFET FDB2572, 150 V, 29 A, 146 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 135 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 146 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDB2572
ab € 1,50*
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N-Kanal MOSFET FCB36N60NTM, 600 V, 36 A, 90 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 312 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCB36N60NTM
ab € 4,32*
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N-Kanal MOSFET FDB28N30TM, 300 V, 28 A, 129 mΩ, D2PAK (TO-263) 3-Pin, 250 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 129 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDB28N30TM
ab € 1,15*
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