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"MOSFET"

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ON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G N CHANNEL MOSFET, 150V, 6A, D-PAK, Trans (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: N Channel MSL: MSL 1 - Unlimited SVHC: Lead Betriebstemperatur, max.: 150 ?C Dauer-Drainstrom Id: 6 A Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Drain-Source-Spannun...
ON Semiconductor
MTD6N15T4G
ab € 0,51306*
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ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G. N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, D-PAK, FULL (2 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Dauer-Drainstrom Id: 20 A Produktpalette: - Schwellenspannung Vgs: 1.6 V Verlustleistung Pd: 60 W Bauform - Transistor: TO-252 Rds(o...
ON Semiconductor
NTD20N06LT4G.
ab € 0,32719*
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ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G. P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL (3 Angebote) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Schwellenspannung Vgs: -2.8 V Betriebstemperatur, max.: 175 ?C Verlustleistung Pd: 55 W Wandlerpolarität: P Channel Produktpalette: - MSL: MSL 1 - ...
ON Semiconductor
NTD2955T4G.
ab € 0,25959*
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ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G. MOSFET Transistor, FULL REEL, Transistor (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.6 V Dauer-Drainstrom Id: 12 A Produktpalette: - Verlustleistung Pd: 48 W Rds(on)-Messspannung Vgs: 5 V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebswiderstand,...
ON Semiconductor
NTD3055L104T4G.
ab € 0,20788*
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MOSFET Treiber NCV8405ADTRKG, 1-Kanal 6A DPAK 3-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung max. = 42 V Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 6A Anzahl der Ausgänge = 1 Gehäusegröße = DPAK Pinanzahl = 3 Breite = 6.22mm MOSFET- und IGBT-Treiber, ...
ON Semiconductor
NCV8405ADTRKG
ab € 0,75*
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N-Kanal MOSFET FCD9N60NTM, 600 V, 9 A, 390 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 92,6 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD9N60NTM
ab € 1,63*
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N-Kanal MOSFET BUZ11_NR4941, 50 V, 30 A, 40 mΩ, TO-220AB 3-Pin, 75 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 50 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
BUZ11-NR4941
ab € 0,76*
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N-Kanal MOSFET FCD600N60Z, 600 V, 7,4 A, 600 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie SuperFET II Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = +30 V Gehäusegr...
ON Semiconductor
FCD600N60Z
ab € 1,03*
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N-Kanal MOSFET FDD2582, 150 V, 21 A, 172 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 172 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD2582
ab € 1,10*
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N-Kanal MOSFET FDD3860, 100 V, 29 A, 64 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD3860
ab € 0,50*
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N-Kanal MOSFET FDD4N60NZ, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 114 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD4N60NZ
ab € 0,41*
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N-Kanal MOSFET FDD5690, 60 V, 30 A, 32 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5690
ab € 0,57*
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N-Kanal MOSFET FDD7N20TM, 200 V, 5 A, 690 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 43 W, Serie UniFET Si (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 690 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,23333*
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N-Kanal MOSFET FDD850N10L, 100 V, 15,7 A, 96 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,7 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 96 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD850N10L
ab € 0,37*
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N-Kanal MOSFET FDD86250, 150 V, 8 A, 45 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 132 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86250
ab € 1,41*
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