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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 10A Leistung: 48W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Eigenschaften von Halbleiterelementen: log...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 10A Leistung: 48W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Eigenschaften von H...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Leistung: 39W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±16V Widerstand im Leitungszustan...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 11A Leistung: 39W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Eigenschaften von H...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK (1 Angebot) 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 15A Leistung: 52W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustan...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK (1 Angebot) 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 17A Leistung: 79W Gehäuse: DPAK Widerstand im Leitungszustand: 105mΩ Montage: SMD Gate-...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; DPAK (1 Angebot) 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 31A Leistung: 110W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszusta...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 31A Leistung: 110W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Hersteller: Infine...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; 130W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 32A Leistung: 130W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszusta...
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