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"MOSFET"

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P-Kanal MOSFET FQD11P06TM, 60 V, 9,4 A, 185 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,4 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD11P06TM
ab € 687,30*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD5P10TM, 100 V, 2,3 A, 1,05 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 25 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,05 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD5P10TM
ab € 791,55*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD8P10TM, 100 V, 6,6 A, 530 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 530 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD8P10TM
ab € 837,475*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD17P06TM, 60 V, 12 A, 135 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD17P06TM
ab € 814,20*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD3P50TM, 500 V, 1,33 A, 4,9 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,33 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD3P50TM
ab € 8,23*
pro 10 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD7P06TM, 60 V, 5,4 A, 451 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 451 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD7P06TM
ab € 713,85*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD7P20TM, 200 V, 5,7 A, 690 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 5,7 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 690 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7P20TM
ab € 820,00*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD3P50TM, 500 V, 1,33 A, 4,9 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,33 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD3P50TM
€ 1.861,20*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
P-Kanal MOSFET FQD5P10TM, 100 V, 2,3 A, 1,05 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 25 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,05 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD5P10TM
ab € 4,74*
pro 10 Stück
 
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P-Kanal MOSFET NTD25P03LT4G, 30 V, 25 A, 90 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 75 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V Gehäuse...
ON Semiconductor
NTD25P03LT4G
ab € 770,05*
pro 2.500 Stück
 
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P-Kanal MOSFET NTD20P06LT4G, 60 V, 15,5 A, 150 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 65 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 15,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
NTD20P06LT4G
ab € 715,15*
pro 2.500 Stück
 
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P-Kanal MOSFET NTD2955T4G, 60 V, 12 A, 180 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
NTD2955T4G
ab € 528,20*
pro 2.500 Stück
 
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MOSFET ON Semiconductor MTD3055V 1 N-Kanal 48 W DPAK (1 Angebot) 
Power MOSFET, N Kanal Der MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter ode...
ON Semiconductor
MTD3055V
ab € 0,95*
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