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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET FQD7N10LTM, 100 V, 5,8 A, 350 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ab € 0,49*
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N-Kanal MOSFET FQD12N20LTM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20LTM
ab € 0,43*
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N-Kanal MOSFET FQD13N06TM, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD13N06TM
ab € 0,34*
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N-Kanal MOSFET FQD13N10TM, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD13N10TM
ab € 0,24*
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N-Kanal MOSFET FQD19N10LTM, 100 V, 15,6 A, 100 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Geh...
ON Semiconductor
FQD19N10LTM
ab € 0,79*
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N-Kanal MOSFET FQD2N100TM, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,6 A Drain-Source-Spannung max. = 1000 V Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD2N100TM
ab € 0,56*
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N-Kanal MOSFET FQD1N60CTM, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD1N60CTM
ab € 0,36*
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N-Kanal MOSFET FQD20N06TM, 60 V, 17 A, 63 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 63 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQD20N06TM
ab € 0,32*
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N-Kanal MOSFET FQD7N30TM, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N30TM
ab € 0,42*
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ON SEMICONDUCTOR FDD5612 TRANSISTOR, MOSFET (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 2.4 V Verlustleistung Pd: 42 W Dauer-Drainstrom Id: 18 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC:...
ON Semiconductor
FDD5612
ab € 0,32*
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ON SEMICONDUCTOR FDD8445 MOSFET, N-KANAL, D-PAK (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 2.8 V Verlustleistung Pd: 79 W Dauer-Drainstrom Id: 15.2 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-252 SVH...
ON Semiconductor
FDD8445
ab € 0,38569*
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ON SEMICONDUCTOR FDD5614P MOSFET, P-KANAL, -60V, -15A, D-PAK (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: -1.6 V Verlustleistung Pd: 42 W Dauer-Drainstrom Id: -15 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVH...
ON Semiconductor
FDD5614P
ab € 0,27668*
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ON SEMICONDUCTOR FDD5690 MOSFET, N-KANAL, D-PAK (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 2.5 V Verlustleistung Pd: 50 W Dauer-Drainstrom Id: 30 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: TO-252 SVHC:...
ON Semiconductor
FDD5690
ab € 0,5741*
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ON SEMICONDUCTOR FDD8424H MOSFET, 2FACH, NP, SMD, D-PAK (1 Angebot) 
Schwellenspannung Vgs: 1.7 V Verlustleistung Pd: 3.1 W Dauer-Drainstrom Id: 9 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 5 Pin(s) SVHC:...
ON Semiconductor
FDD8424H
ab € 0,33652*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; DPAK (2 Angebote) 
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Verpackungs-Art: Rolle; Band Gehäuse: DPAK Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Montage: SMD Transistor-Typ: N-MOSFET Drain-Source Spannung: 1000V Dra...
ON Semiconductor
FQD2N100TM
ab € 0,41*
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