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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET FDD86102, 100 V, 36 A, 44 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD86102
ab € 2,072*
pro 2 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD86102LZ, 100 V, 8 A, 40 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 54 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86102LZ
ab € 3,00*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD86250, 150 V, 8 A, 45 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 132 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86250
ab € 1,13*
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 Paket
N-Kanal MOSFET FDD86326, 80 V, 8 A, 44 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuseg...
ON Semiconductor
FDD86326
ab € 0,652*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD8647L, 40 V, 52 A, 13,6 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 43 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 13,6 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8647L
ab € 2,155*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD86540, 60 V, 50 A; 136 A, 5,2 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 127 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A; 136 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 5,2 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V...
ON Semiconductor
FDD86540
ab € 3,045*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD8778, 25 V, 35 A, 23,8 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 39 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Drain-Source-Widerstand max. = 23,8 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Geh...
ON Semiconductor
FDD8778
ab € 4,81*
pro 25 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD8780, 25 V, 35 A, 10,4 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Drain-Source-Widerstand max. = 10,4 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Geh...
ON Semiconductor
FDD8780
ab € 1,365*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD8880, 30 V, 58 A, 15 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 58 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8880
ab € 1,675*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD8896, 30 V, 94 A, 9 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 80 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 94 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD8896
ab € 2,895*
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N-Kanal MOSFET FDD8N50NZTM, 500 V, 6,9 A, 850 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 90 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,9 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 850 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD8N50NZTM
ab € 3,62*
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N-Kanal MOSFET FQD12N20LTM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20LTM
ab € 2,085*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD12N20TM, 200 V, 9 A, 280 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 55 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD12N20TM
ab € 7,35*
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N-Kanal MOSFET FQD13N06TM, 60 V, 10 A, 140 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD13N06TM
ab € 1,575*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD13N10LTM, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD13N10LTM
ab € 0,985*
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