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"MOSFET"

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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2,34A; 45W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art: Rolle; Band Gehäuse: DPAK Technologie: QFET® Montage: SMD Transistor-Typ: P-MOSFET Drain-Source Spannung: -200V Dra...
ON Semiconductor
FQD5P20TM
ab € 0,32*
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 Stück
ON Semiconductor FQD17P06TM MOSFET 1 P-Kanal 2.5 W TO-252-3 (2 Angebote) 
MOSFET Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 ...
ON Semiconductor
FQD17P06TM
ab € 0,46*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET Treiber NCV8405ADTRKG, 1-Kanal 6A DPAK 3-Pin (1 Angebot) 
Anzahl der Treiber = 1 Arbeitsspannnung max. = 42 V Montage-Typ = SMD Spitzen-Ausgangsstrom = 6A Anzahl der Ausgänge = 1 Gehäusegröße = DPAK Pinanzahl = 3 Breite = 6.22mm MOSFET- und IGBT-Treiber, ...
ON Semiconductor
NCV8405ADTRKG
ab € 3,76*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FCD600N60Z, 600 V, 7,4 A, 600 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie SuperFET II Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = +30 V Gehäusegr...
ON Semiconductor
FCD600N60Z
ab € 5,14*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FCD9N60NTM, 600 V, 9 A, 390 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 92,6 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD9N60NTM
ab € 1,64*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD120AN15A0, 150 V, 14 A, 282 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 65 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 282 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD120AN15A0
ab € 2,15*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD390N15A, 150 V, 26 A, 40 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 63 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD390N15A
ab € 3,92*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD5353, 60 V, 11,5 A, 20 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD5353
ab € 3,86*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD5N50NZTM, 500 V, 4 A, 1,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5N50NZTM
ab € 5,10*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD6612A, 30 V, 30 A, 33 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 36 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD6612A
ab € 1,47*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD770N15A, 150 V, 11,4 A, 77 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 56,8 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,4 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 77 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD770N15A
ab € 3,20*
pro 10 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD8445, 40 V, 70 A, 16 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 79 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 70 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD8445
ab € 2,37*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD2582, 150 V, 21 A, 172 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 172 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD2582
ab € 2,19*
pro 2 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD86102, 100 V, 36 A, 44 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD86102
ab € 2,17*
pro 2 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD18N20LZ, 200 V, 16 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD18N20LZ
ab € 8,37*
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