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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET FQD13N10TM, 100 V, 10 A, 180 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD13N10TM
ab € 1,14*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD16N25CTM, 250 V, 16 A, 270 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 160 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD16N25CTM
ab € 2,235*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD19N10LTM, 100 V, 15,6 A, 100 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Geh...
ON Semiconductor
FQD19N10LTM
ab € 3,785*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD19N10TM, 100 V, 15,6 A, 100 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Geh...
ON Semiconductor
FQD19N10TM
ab € 1,90*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD1N60CTM, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD1N60CTM
ab € 1,555*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD1N80TM, 800 V, 1 A, 20 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 20 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäuseg...
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ab € 2,815*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD20N06TM, 60 V, 17 A, 63 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 63 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FQD20N06TM
ab € 1,53*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD2N100TM, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,6 A Drain-Source-Spannung max. = 1000 V Drain-Source-Widerstand max. = 9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FQD2N100TM
ab € 2,72*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD2N80TM, 800 V, 1,8 A, 6,3 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Drain-Source-Widerstand max. = 6,3 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäu...
ON Semiconductor
FQD2N80TM
ab € 2,755*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FQD7N10LTM, 100 V, 5,8 A, 350 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ab € 2,28*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FQD7N30TM, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,5 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,5 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Drain-Source-Widerstand max. = 700 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD7N30TM
ab € 2,00*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET HUFA76409D3ST, 60 V, 18 A, 63 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 49 W, Serie UltraFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 18 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 63 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spa...
ON Semiconductor
HUFA76409D3ST
ab € 6,98*
pro 25 Stück
 
 Paket
ON SEMICONDUCTOR FDD10AN06A0 MOSFET, N-KANAL, 60V, 50A, TO-252AA (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 135 W Dauer-Drainstrom Id: 50 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS...
ON Semiconductor
FDD10AN06A0
ab € 0,45*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR FDD13AN06A0 MOSFET, N-KANAL, 60V, 50A, DPAK (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 115 W Dauer-Drainstrom Id: 50 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS...
ON Semiconductor
FDD13AN06A0
ab € 0,46456*
pro Stück
 
 Stück
ON SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 MOSFET, N-KANAL, 75V, 50A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 135 W Dauer-Drainstrom Id: 50 A Betriebstemperatur, max.: 175 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS...
ON Semiconductor
FDD16AN08A0
ab € 0,62849*
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