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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET FCD9N60NTM, 600 V, 9 A, 390 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 92,6 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD9N60NTM
ab € 1,62*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD18N20LZ, 200 V, 16 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD18N20LZ
ab € 8,22*
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N-Kanal MOSFET FDD3672, 100 V, 6,5 A, 28 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 135 W, Serie UltraFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3672
ab € 3,07*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD3860, 100 V, 29 A, 64 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 69 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD3860
ab € 2,43*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD2582, 150 V, 21 A, 172 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 172 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD2582
ab € 2,16*
pro 2 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD4N60NZ, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 114 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,4 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD4N60NZ
ab € 3,99*
pro 10 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD5690, 60 V, 30 A, 32 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 32 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5690
ab € 2,80*
pro 5 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD3706, 20 V, 50 A, 19 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 44 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3706
ab € 2,34*
pro 5 Stück
 
 Paket
ON SEMICONDUCTOR FDD7N20TM MOSFET, N-KANAL, 200V, 5A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 5 V Verlustleistung Pd: 43 W Dauer-Drainstrom Id: 5 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-k...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,20266*
pro Stück
 
 Stück
N-Kanal MOSFET FDD120AN15A0, 150 V, 14 A, 282 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 65 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 282 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD120AN15A0
ab € 2,09*
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N-Kanal MOSFET FDD3N50NZTM, 500 V, 2,5 A, 2,5 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 40 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3N50NZTM
ab € 2,10*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD850N10LD, 100 V, 15,3 A, 96 mΩ, DPAK (TO-252) 5-Pin, 42 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15,3 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 96 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD850N10LD
ab € 3,55*
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N-Kanal MOSFET FDD390N15A, 150 V, 26 A, 40 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 63 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD390N15A
ab € 3,87*
pro 5 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD5670, 60 V, 52 A, 26 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 83 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5670
ab € 2,03*
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N-Kanal MOSFET FDD86250, 150 V, 8 A, 45 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 132 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86250
ab € 2,78*
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