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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET TK8P25DA,RQ(S, 250 V, 10 μA, 500 mΩ, DPAK 3-Pin, 55 W (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 μA Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V Gate-Sou...
Toshiba
TK8P25DA,RQ(S
ab € 0,131*
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N-Kanal MOSFET DMN6068LK3-13, 60 V, 8,5 A, 100 MΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 8,49 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
Diodes
DMN6068LK3-13
ab € 0,144*
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N-Kanal MOSFET DMN3016LK3-13, 30 V, 38 A, 16 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 2,8 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 38 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V Gate-Source...
Diodes
DMN3016LK3-13
ab € 0,145*
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N-Kanal MOSFET IRLR8726TRPBF, 30 V, 86 A, 8 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 75 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Gate-Sourc...
Infineon
IRLR8726TRPBF
ab € 0,146*
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N-Kanal MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 550 V, 3,1 A, 1,4 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 25 W, Serie CoolMOS CE Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3,1 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Gate-Sour...
Infineon
IPD50R1K4CEBTMA1
ab € 0,149*
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N-Kanal MOSFET DMN3024LK3-13, 30 V, 14,4 A, 39 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 8,9 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
Diodes
DMN3024LK3-13
ab € 0,154*
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 Stück
N-Kanal MOSFET TK8P25DA,RQ(S, 250 V, 10 μA, 500 mΩ, DPAK 3-Pin, 55 W (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 μA Drain-Source-Spannung max. = 250 V Drain-Source-Widerstand max. = 500 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V Gate-Sou...
Toshiba
TK8P25DA,RQ(S
ab € 0,154*
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P-Kanal MOSFET DMP4051LK3-13, 40 V, 10,5 A, 85 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 8,9 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 85 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
Diodes
DMP4051LK3-13
ab € 0,154*
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ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 20A, DPAK (3 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.8 V Verlustleistung Pd: 36 W Dauer-Drainstrom Id: 20 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC:...
ON Semiconductor
NTD5867NLT4G
ab € 0,15559*
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N-Kanal MOSFET IRLR8726TRPBF, 30 V, 86 A, 8 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 75 W, Serie HEXFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 86 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V Gate-Sourc...
Infineon
IRLR8726TRPBF
ab € 0,159*
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N-Kanal MOSFET DMN6040SK3-13, 60 V, 20 A, 50 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 42 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
Diodes
DMN6040SK3-13
ab € 0,16*
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N-Kanal MOSFET NTD3055L104T4G, 60 V, 12 A, 104 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 48 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 104 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V Gehäus...
ON Semiconductor
NTD3055L104T4G
ab € 0,16*
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N-Kanal MOSFET NTD5867NLT4G, 60 V, 20 A, 50 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 36 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
NTD5867NLT4G
ab € 0,16*
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MOSFET N, 30 V 17 A 30 W DPAK (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+175 °C Ansteuerung: logic level Gehäusetyp: DPAK Polarität: N Verlustleistung: 30 W
ST Microelectronics
STD17NF03LT4
ab € 0,167*
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 Stück
P-Kanal MOSFET DMP3025LK3-13-01, 30 V, 16 A, 41 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 10 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 41 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
Diodes
DMP3025LK3-13-01
ab € 0,17*
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