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"MOSFET"

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DIODES INC. DMP4051LK3-13 MOSFET, P-KANAL, -40V, TO-252-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: -3 V Verlustleistung Pd: 4.18 W Dauer-Drainstrom Id: -7.2 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Ro...
Diodes
DMP4051LK3-13
ab € 0,14301*
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INFINEON IPD50R1K4CEBTMA1 MOSFET, N-KANAL, 500V, 3.1A, TO-252-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 3 V Verlustleistung Pd: 25 W Dauer-Drainstrom Id: 3.1 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-k...
Infineon
IPD50R1K4CEBTMA1
ab € 0,144*
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MOSFET N, 30 V 17 A 30 W DPAK (2 Angebote) 
MOSFET Betriebstemperatur: -55...+175 °C Ansteuerung: logic level Gehäusetyp: DPAK Polarität: N Verlustleistung: 30 W
ST Microelectronics
STD17NF03LT4
ab € 0,153*
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ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 20A, DPAK (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 1.8 V Verlustleistung Pd: 36 W Dauer-Drainstrom Id: 20 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-...
ON Semiconductor
NTD5867NLT4G
ab € 0,15368*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8,5A; 30W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 8.5A Leistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszus...
ST Microelectronics
STD12NF06T4
ab € 0,156*
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ON SEMICONDUCTOR FQD7N10LTM MOSFET, N-KANAL, 100V, 5.8A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 2 V Verlustleistung Pd: 25 W Dauer-Drainstrom Id: 5.8 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS...
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ab € 0,17*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2A; 45W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 525V Drainstrom: 2A Leistung: 45W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszust...
ST Microelectronics
STD4N52K3
ab € 0,17*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1NB60CP MOSFET, N-KANAL, 600V, 0.5A, D-PAK (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 3.5 V Verlustleistung Pd: 39 W Dauer-Drainstrom Id: 1 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: - Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-konform bezüglich ...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP
ab € 0,179*
pro Stück
 
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ON SEMICONDUCTOR FQD13N10TM MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 4 V Verlustleistung Pd: 40 W Dauer-Drainstrom Id: 10 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-...
ON Semiconductor
FQD13N10TM
ab € 0,18*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Leistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Eigenschaften von Ha...
INFINEON (IRF)
IRLR024NTRLPBF
ab € 0,18*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: SuperMesh™ Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Leistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszust...
ST Microelectronics
STD6NF10T4
ab € 0,19*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Leistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Eigenschaften von Ha...
INFINEON (IRF)
IRLR024NTRRPBF
ab € 0,19*
pro Stück
 
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ON SEMICONDUCTOR FDD7N20TM MOSFET, N-KANAL, 200V, 5A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 5 V Verlustleistung Pd: 43 W Dauer-Drainstrom Id: 5 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-k...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,19072*
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ON SEMICONDUCTOR FQD13N10LTM MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Schwellenspannung Vgs: 2 V Verlustleistung Pd: 40 W Dauer-Drainstrom Id: 10 A Betriebstemperatur, max.: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Pin(s) RoHS-...
ON Semiconductor
FQD13N10LTM
ab € 0,19169*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0,63A; 45W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: QFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 0.63A Leistung: 45W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustan...
ON Semiconductor
FQD1N80TM
ab € 0,198*
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