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"MOSFET"

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ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 20A, DPAK (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, DIODE, 60V, 20A, DPAK RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 1.8 V Leistungsverlust Pd: 36 W Dauerstrom, Id: 20 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unb...
ON Semiconductor
NTD5867NLT4G
ab € 0,1498*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 30W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Leistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±16V Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Montage: SMD V...
ST Microelectronics
STD17NF03LT4
ab € 0,154*
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DIODES INC. DMP4051LK3-13 MOSFET, P-KANAL, -40V, TO-252-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, P-KANAL, -40V, TO-252-3 RoHS konform: Y-EX Spannung, Ugs th(V) typ.: -3 V Leistungsverlust Pd: 4.18 W Dauerstrom, Id: -7.2 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
Diodes
DMP4051LK3-13
ab € 0,15468*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8,5A; 30W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 8.5A Leistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 100mΩ Montage: SMD...
ST Microelectronics
STD12NF06T4
ab € 0,155*
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ON SEMICONDUCTOR FQD7N10LTM MOSFET, N-KANAL, 100V, 5.8A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 100V, 5.8A, TO-252AA-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2 V Leistungsverlust Pd: 25 W Dauerstrom, Id: 5.8 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unb...
ON Semiconductor
FQD7N10LTM
ab € 0,17*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2A; 45W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 525V Drainstrom: 2A Leistung: 45W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 2600mΩ Montage: SMD...
ST Microelectronics
STD4N52K3
ab € 0,17*
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ON SEMICONDUCTOR NTD2955T4G. P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL (1 Angebot) 
Beschreibung: P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL RoHS konform: Ja Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Typ: NTD2955T4G.
ON Semiconductor
NTD2955T4G.
ab € 0,17393*
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1NB60CP MOSFET, N-KANAL, 600V, 0.5A, D-PAK (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 600V, 0.5A, D-PAK RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 3.5 V Leistungsverlust Pd: 39 W Dauerstrom, Id: 1 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: - Bauform: TO-25...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP
ab € 0,179*
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ON SEMICONDUCTOR FQD13N10LTM MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2 V Leistungsverlust Pd: 40 W Dauerstrom, Id: 10 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
ON Semiconductor
FQD13N10LTM
ab € 0,18*
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ON SEMICONDUCTOR FQD13N10TM MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 4 V Leistungsverlust Pd: 40 W Dauerstrom, Id: 10 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbeg...
ON Semiconductor
FQD13N10TM
ab € 0,18*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Technologie: HEXFET® Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 17A Leistung: 38W Gehäuse: DPAK Montage: SMD Verpackungs-Art: Rolle Eigenschaften von Ha...
INFINEON (IRF)
IRLR024NTRLPBF
ab € 0,18*
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ON SEMICONDUCTOR FDD7N20TM MOSFET, N-KANAL, 200V, 5A, TO-252AA-3 (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 200V, 5A, TO-252AA-3 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 5 V Leistungsverlust Pd: 43 W Dauerstrom, Id: 5 A max. Betriebstemperatur: 150 ᄚC MSL: MSL 1 - unbegre...
ON Semiconductor
FDD7N20TM
ab € 0,18102*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 3A Leistung: 60W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 3Ω Montage: SMD Gat...
Toshiba
TK3P50D,RQ
ab € 0,187*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; 50W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9A Leistung: 50W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 130mΩ Montage: SMD ...
ST Microelectronics
STD10NF10T4
ab € 0,189*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 30W; DPAK (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4A Leistung: 30W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 250mΩ Montage: SMD ...
ST Microelectronics
STD6NF10T4
ab € 0,19*
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