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"MOSFET"

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N-Kanal MOSFET FCD9N60NTM, 600 V, 9 A, 390 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 92,6 W, Serie SupreMOS Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 9 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD9N60NTM
€ 3.740,875*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD5670, 60 V, 52 A, 26 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 83 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 52 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 26 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD5670
€ 2.607,50*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD8444, 40 V, 145 A, 9,4 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 153 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 145 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD8444
€ 2.261,65*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FCD620N60ZF, 600 V, 7,3 A, 620 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie SuperFET II Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7,3 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 620 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FCD620N60ZF
€ 2.167,60*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET NVD5C434NT4G, 40 V, 163 A, 2,1 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 117 W, Serie NVD5C434N (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 163 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Drain-Source-Widerstand max. = 2,1 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source S...
ON Semiconductor
NVD5C434NT4G
ab € 2.052,75*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FDD86250, 150 V, 8 A, 45 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 132 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 45 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86250
€ 1.976,90*
pro 2.500 Stück
 
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P-Kanal MOSFET FQD3P50TM, 500 V, 1,33 A, 4,9 Ω, DPAK (TO-252) 3-Pin, 50 W, Serie QFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 1,33 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 4,9 Ω Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehä...
ON Semiconductor
FQD3P50TM
€ 1.887,50*
pro 2.500 Stück
 
 Paket
N-Kanal MOSFET FCD7N60TM, 600 V, 7 A, 600 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 83 W, Serie SuperFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 7 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Gehäus...
ON Semiconductor
FCD7N60TM
€ 1.876,925*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD3672, 100 V, 6,5 A, 28 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 135 W, Serie UltraFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 28 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD3672
€ 1.817,50*
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N-Kanal MOSFET FDD18N20LZ, 200 V, 16 A, 130 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 89 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 16 A Drain-Source-Spannung max. = 200 V Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD18N20LZ
€ 1.744,25*
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N-Kanal MOSFET FDD8N50NZTM, 500 V, 6,9 A, 850 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 90 W, Serie UniFET Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,9 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Drain-Source-Widerstand max. = 850 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Gehä...
ON Semiconductor
FDD8N50NZTM
€ 1.743,425*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD86102, 100 V, 36 A, 44 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 62 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 44 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
ON Semiconductor
FDD86102
€ 1.669,45*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET FDD86102LZ, 100 V, 8 A, 40 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 54 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 8 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäuse...
ON Semiconductor
FDD86102LZ
€ 1.669,45*
pro 2.500 Stück
 
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N-Kanal MOSFET NVD6824NLT4G, 100 V, 41 A, 23 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 90 W Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 41 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehä...
ON Semiconductor
NVD6824NLT4G
€ 1.649,30*
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N-Kanal MOSFET FDD2582, 150 V, 21 A, 172 mΩ, DPAK (TO-252) 3-Pin, 95 W, Serie PowerTrench Si (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Drain-Source-Widerstand max. = 172 mΩ Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäu...
ON Semiconductor
FDD2582
€ 1.622,50*
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