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"MOSFET"

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Halbleiterrelais einphasig 3.5...32 VDC (6 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 57.3 x 44.5 x 23.3 mm, Ausgangsspannung: 1...100 VDC, Eingangsspannung DC: 3.5...32 VDC, Temperaturbereich: -40...+100 °C, Betriebsspannungsart: 1...
Crydom
D1D20
ab € 42,82*
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MOSFET N, 250 V 14 A 125 W D2PAK (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 125 W
Vishay
IRF644SPBF
ab € 1,2731*
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MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3 (2 Angebote) 
Power MOSFET, P-Kanal Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (mi...
Infineon
IRF9Z34N
ab € 0,76*
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MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Verlustleistung: 1.25 W
IR
IRLML2502PBF
ab € 0,31*
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STMICROELECTRONICS STF12N65M5 MOSFET, N-KANAL, 650V, 8.5A, TO220FP (2 Angebote) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 650V, 8.5A, TO220FP RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 4 V Leistungsverlust Pd: 25 W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Dauerstrom, Id: 8.5 A max. Betriebstemperatur...
ST Microelectronics
STF12N65M5
ab € 1,3513*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; logic level; 55V; 4,4A; 2,1W (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Transistor-Art: logic level Drain-Source Spannung: 55V Drainstrom: 4.4A Leistung: 2.1W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±16V Widerstand im Leit...
INFINEON (IRF)
IRLL024NPBF
ab € 0,259*
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N-Kanal MOSFET FDPF770N15A, 150 V 10 A, TO-220F 3-Pin (1 Angebot) 
MOSFET N-Ch 150V 10A PowerTrench TO220F - Diskrete Bauteile - Transistoren MOSFET
Fairchild
FDPF770N15A
ab € 0,49*
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MOSFET P, 20 V 2.8 A 480 mW SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Verlustleistung: 480 mW
NXP
PMV65XP
ab € 0,2109*
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SCHNEIDER ELECTRIC SSL1D03JD HALBLEITERRELAIS, SPST-NO, 3,5A, 3-12V (5 Angebote) 
Beschreibung: HALBLEITERRELAIS, SPST-NO, 3,5A, 3-12V RoHS konform: Ja Regelspannung, min.: 3 VDC Regelspannung, max.: 12 VDC Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) max. Betriebss...
Schneider Electric
SSL1D03JD
ab € 9,97417*
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Pioneer AVH X7800BT (1 Angebot) 
Pioneer AVH-X7800BT - DVD Receiver - Anzeige - 17.8 cm (7 Zoll) - Touchscreen - in-dash-Einheit - Voll-DIN - 50 Watt x 4
Pioneer Electronics
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 Packung
MOSFET N, 100 V 0.17 A 0.36 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 0.36 W
Diodes
BSS123Q-13
ab € 0,1655*
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MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
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S106
ab € 4,72*
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 Paket
MOSFET P, -30 V -2.6 A 1.25 W SOT-23 (1 Angebot) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: P, Verlustleistung: 1.25 W
IR
IRLML5203PBF
ab € 0,31*
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Puls
YR40.482
ab € 60,23*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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