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"MOSFET"

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MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3 (2 Angebote) 
Power MOSFET, P-Kanal Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 55 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (mi...
Infineon
IRF9Z34N
ab € 0,32*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 25 V 0.68 A 350 mW SOT-23 (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: SOT-23, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 350 mW
Fairchild
FDV303N
ab € 0,0982*
pro Stück
 
 Stück
Halbleiterrelais einphasig 3.5...32 VDC (6 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 57.3 x 44.5 x 23.3 mm, Ausgangsspannung: 1...100 VDC, Eingangsspannung DC: 3.5...32 VDC, Temperaturbereich: -40...+100 °C, Betriebsspannungsart: 1...
Crydom
D1D20
ab € 35,28*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3,7A; 4,24W; DPAK (2 Angebote) 
Transistor-Typ: P-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: -100V Drainstrom: -3.7A Leistung: 4.24W Gehäuse: DPAK Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.285Ω Montag...
Diodes
ZXMP10A16KTC
ab € 0,40*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 250 V 14 A 125 W D2PAK (3 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+150 °C, Gehäusetyp: D2PAK, Polarität: N, Verlustleistung: 125 W
Vishay
IRF644SPBF
ab € 1,2831*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; 400mW; TO92 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 200mA Leistung: 400mW Gehäuse: TO92 Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 5Ω Montage: THT...
ON Semiconductor
2N7000TA
ab € 0,0512*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Leistung: 28W Gehäuse: TO220FP Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 120mΩ Montage: ...
Infineon
IPA60R120P7
ab € 2,00*
pro Stück
 
 Stück
ROHM R6009KNX MOSFET, N-KANAL, 600V, 9A, TO-220FM (1 Angebot) 
Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 600V, 9A, TO-220FM RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 5 V Leistungsverlust Pd: 48 W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Dauerstrom, Id: 9 A max. Betriebstemperatur: 1...
Rohm Semiconductor
R6009KNX
ab € 0,61126*
pro Stück
 
 Stück
Elektronik-Schalt-Einsatz (6 Angebote) 
Für ohmsche oder induktive Lasten wie Glühlampen und NV-Halogenbeleuchtung mit konventionellem Trafo. Mit Krallen- und Schraubbefestigung. Mit Schraubklemmen. Funktionen: -Schalten von einem Ausgan...
Merten
MEG5151-0000
ab € 37,57*
pro Stück
 
 Stück
MOSFET N, 60 V 50 A 150 W TO-220 (2 Angebote) 
MOSFET, Betriebstemperatur: -55...+175 °C, Gehäusetyp: TO-220, Polarität: N, Variante: Anreicherungstyp, Verlustleistung: 150 W
NTE Electronics
NTE2395
ab € 4,76*
pro Stück
 
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MOSFET/IGBT-Set Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] (3 Angebote) 
Power MOSFET & IGBT Transistoren-Set Das Set enthält ca. 20 Stück MOSFETs und IGBTs verschiedener Typen. Technische Daten: Hersteller: Kemo · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET/IGBT-Set · Typ...
Kemo
S106
ab € 3,04*
pro Paket
 
 Paket
PhotoMOS Relais AQY 60 VAC/DC 2000 mA (4 Angebote) 
PhotoMOS Relais AQY, Temperaturbereich: -40...+85 °C, Hersteller Art. Nr.: AQY272J, Kontakte: 1 Schliesser (NO), Durchgangswiderstand: 0.11 Ω, LED Ansprechstrom: 1 mA, LED Maximalstrom: 50 mA, LED ...
Panasonic
AQY272
ab € 7,45*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 14A Leistung: 214W Gehäuse: TO247 Gate-Source Spannung: ±30V Widerstand im Leitungszustand: 220mΩ Montage: T...
ST Microelectronics
STW20NM50FD
ab € 3,28*
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Halbleiterrelais einphasig 3.5...32 VDC (4 Angebote) 
Halbleiterrelais einphasig, Abmessungen L x B x H: 57.3 x 44.5 x 23.3 mm, Ausgangsspannung: 1...400 VDC, Eingangsspannung DC: 3.5...32 VDC, Temperaturbereich: -40...+100 °C, Betriebsspannungsart: 1...
Crydom
D4D12
ab € 63,93*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB; HEXFET® (1 Angebot) 
Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipolar Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 82A Leistung: 200W Gehäuse: TO220AB Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Thermische...
INFINEON (IRF)
IRF2807PBF
ab € 0,59*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext MOSFET, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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