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  MOSFET  (14.326 Angebote unter 17.411.967 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET"

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MOSFET-Relais G3VM, DIP-6, 1 Schliesser, 100V, 7A (2 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET-Relais, Typ=G3VM-101BR1, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=100 V, Laststrom max.=7 A, Laststrom min.=3.5 A, Länge=7.12 mm, ...
Omron
G3VM-101BR1
ab € 7,06*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex DMG4413LSS-13 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 12 A 2,2 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 10,2 mΩ Channel-Modus = Enhancement...
Diodes
DMG4413LSS-13
ab € 3,45*
pro 10 Stück
 
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, BUZ71-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ71, 50 V, 14 A, 0,1 Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ71-T
ab € 1,59*
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CLARE LCA110 RELAIS, MOSFET (1 Angebot) 
I/O-Kapazität: 3 pF Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA Produktpalette: OptoMOS Relaisanschlüsse: PC-Pin Durchlasswiderstand, max.: 35 ohm Lasttyp: AC/DC Laststrom: 120 mA Relaismontag...
Clare
LCA110
ab € 1,3492*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP PRO 2N7002-7-F MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, S (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 115 mA MSL: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Drain-Source-Spannung Vds: 60 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Kanaltyp: N Channel Anzahl...
Multicomp
2N7002-7-F
ab € 0,02242*
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 Stück
MOSFET-Relais G3VM, DIP-6, 1 Schliesser, 30V, 10A (2 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET-Relais, Typ=G3VM-31BR, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=30 V, Laststrom max.=10 A, Laststrom min.=5 A, Länge=7.12 mm, Ansc...
Omron
G3VM-31BR
ab € 5,50*
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DiodesZetex ZXMP4A16KTC P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 9,9 A 9,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 9,9 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ Channel-Modus = En...
Diodes
ZXMP4A16KTC
ab € 2,71*
pro 5 Stück
 
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF640-PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET en Reihe IRF. Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
IRF640-PBF
ab € 0,94*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. 2N7002A-7 MOSFET, N-KANAL, 60V, 0.18A, SOT-23 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Daue...
Diodes
2N7002A-7
ab € 0,02912*
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 Packung
MULTICOMP PRO 2N7002-7-F. MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, S (1 Angebot) 
MSL: - Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors Transistormontage: Surface Mount Verlustleistung: 200 mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1 V Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betri...
Multicomp
2N7002-7-F.
ab € 0,01592*
pro Stück
 
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MOSFET-Relais G3VM, DIP-6, 1 Schliesser, 60V, 8A (3 Angebote) 
Bezeichnung=MOSFET-Relais, Typ=G3VM-61BR2, Breite=6.4 mm, Frequenz, max.=-999, Frequenz, min.=-999, Höhe=3.65 mm, Lastspannung max.=60 V, Laststrom max.=8 A, Laststrom min.=4 A, Länge=7.12 mm, Ansc...
Omron
G3VM-61BR2
ab € 5,37*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex DMN3024LK3-13 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14,4 A 8,9 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Channel-Modus = En...
Diodes
DMN3024LK3-13
ab € 5,06*
pro 25 Stück
 
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COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF830PBF (1 Angebot) 
MOSFET NFET s Reihe IRF.../UF. Technische Merkmale (Typ, Polarität, Spannung (VDS), Widerstand (RDS), Strom (ID), Leistung, Gehäuse, Hersteller): IRF830, N, 500 V, 1500 m Ohm, 4,7 A, 75 W, TO220, C...
COMSET Semiconductors
IRF830PBF
ab € 0,59*
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CLARE LCC120 SSR,OPTO MOSFET, 250V, 0.17A (1 Angebot) 
I/O-Kapazität: 3 pF Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1 µA Produktpalette: OptoMOS Relaisanschlüsse: PC-Pin Durchlasswiderstand, max.: 20 ohm Lasttyp: AC/DC Laststrom: 170 mA Relaismontag...
Clare
LCC120
ab € 3,81*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP PRO BSS138-7-F MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S (1 Angebot) 
Dauer-Drainstrom Id: 200 mA Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V Drain-Source-Spannung Vds: 50 V Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifikation: - Kanaltyp: N Channel D...
Multicomp
BSS138-7-F
ab € 0,02058*
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Weitere Informationen zum Thema MOSFET
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Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz Mosfet

Der Mosfet gehört zu den aktiven elektronischen Bauelementen und funktioniert im Prinzip wie ein spannungsgesteuerter Widerstand. Er besitzt wie andere Transistoren ebenfalls drei Anschlüsse. Diese lauten aber beim Mosfet nicht Kollektor, Emitter und Basis, sondern Source, Drain und Gate. Am Anschluss Source liegt beim Mosfet die Quellspannung an. Der Stromfluss erfolgt zum Anschluss Drain. Über den Anschluss Gate kann die Höhe des Laststroms gesteuert werden. Im Gegensatz zum Transistor erfolgt beim Mosfet aber keine stromabhängige Steuerung des Bauteils, sondern eine spannungsabhängige Steuerung. An dieser Stelle besteht eine Ähnlichkeit zur Elektronenröhre, bei der ebenfalls die Steuerung spannungsabhängig ist. Die speziellen elektrischen Eigenschaften dieser Bauteile machen sie relativ empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen.

Der Unterschied zwischen N-Kanal und P-Kanal

Es gibt zwei unterschiedliche Ansteuerungsarten bei Mosfets. Bei einem N-Kanal- Mosfet erfolgt die Ansteuerung des Anschlusses Gate über eine positive Spannung, während die Ansteuerung eines P-Kanal- Mosfet süber eine negative Steuerspannung erfolgen muss. Die Steuerspannung eines Mosfet sbezieht sich immer auf den Anschluss Source. Das heißt Folgendes: Die Steuerspannung bei einem N-Kanal-Mosfet muss immer einen positiven Wert gegenüber dem Anschluss Source aufweisen, während es bei einem P-Kanal-Mosfet ein negativer Spannungswert gegenüber dem Anschluss Source sein muss. N-Kanal-Mosfet kommen in der Praxis wesentlich häufiger vor als P-Kanal- Mosfets. Die entsprechende Ausführung ist bei der Artikelbezeichnung angegeben.

Mögliche Gehäusetypen von Mosfets

  • Auch Mosfet sgibt es in zahlreichen unterschiedlichen Gehäuseformen sowohl für die SMD-Technik als auch für den Einsatz in Schaltungen mit einem konventionellen Aufbau.
  • Zu den gängigen SMD-Bauteilen gehören beispielsweise die Gehäusetypen SO, SOT, SOIC, TSOP sowie TSSOP.
  • Bauteile in der konventionellen Technik besitzen beispielsweise die Gehäuseformen DIL und alle Gehäusetypen, die mit der Bezeichnung TO beginnen.

Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung

Die beiden Anschlüsse Drain und Source lauten übersetzt Abfluss und Quelle. Die Angabe der Abfluss-Quell-Spannung bezieht sich auf eben diese beiden Anschlüsse. Es handelt sich bei dieser Spannungsangabe um die maximal zulässige Spannung zwischen diesen beiden Anschlüssen eines solchen Bauteils.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
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