MOSFET  (25.646 Angebote unter 17.434.114 Artikeln)Zum Expertenwissen

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 261 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 3 O Channel-Modus = Enhancemen...

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6 A Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drain...

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY Montage: SMD Gehäuse: SOT89-3 Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Eingangsspannung: 20...400V Ausgangsstrom max.: 30mA Eigenschafte integrierter Schaltkreise: MO...

4er Pack Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44NPBF Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 44 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 49 A, Rds(on) 0,0175 ?, Ugs(th) ...

Montage Typ = SMD Ausgangsschaltung = IGBT-Gate-Treiber, MOSFET Durchlassspannung max. = 1.85V Anzahl der Kanäle = 1 Anzahl der Pins = 6 Gehäusetyp = SOIC Eingangsstrom Typ = DC Regelanstiegszeit =...

10er Pack Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8W TO-263-3 Typ: IRF5305 Gehäuse: TO-263-3 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF Ausführung: P-Kanal I(d): 31 A Leistung (max...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: TEXAS INSTRU...

Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK MOSFET (HEXFET/FETKY) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · B...

4er Pack Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ48NPBF Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 ?, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, TO-220. Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 ?, Ugs(th) 2 ...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=DI280N10TL, Abfallzeit=75 ns, Anstiegzeit=33 ns, Ausschaltverzögerung=95 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=10...

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = U-DFN2020-6

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750 mA Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 V Dauer-Drai...

10er Pack Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82W TO-263-3 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82W TO-263-3 Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und k...

Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB MOSFET (HEXFET /FETKY) Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlosse...