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DIODES INC. BC846A TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23-3 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 300 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 180 hFE Be...
Diodes
BC846A
65 V
ab € 0,01999*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE2349 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3, (2 Angebote) 
Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 200 °C DC-Kollektorstrom: 50 A MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 V Übergangsfrequenz ft: - Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-3...
NTE Electronics
NTE2349
120 V
ab € 13,02*
pro Stück
 
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IGBT Thyristormodul VS-VSKT136/16PBF, 1600V 135A 50mA, INT-A-pak 7-Pin (1 Angebot) 
Thyristor-Typ = IGBT Gate-Triggerspannung max. = 4V Gate-Triggerstrom max. = 270mA Haltestrom max. = 200mA On-State Strom durchschnittlich = 135A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1600V Spitzenstr...
Vishay
VS-VSKT136/16PBF
k.A.
ab € 56,36*
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DIODES INC. BCW66HTA TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23 (3 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 100 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 350 hFE Be...
Diodes
BCW66HTA
45 V
ab € 0,0423*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE2350 DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-3, (2 Angebote) 
Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Betriebstemperatur, max.: 200 °C MSL: - Wandlerpolarität: PNP Verlustleistung Pd: 300 W Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Qualifizierungsstandard der Auto...
NTE Electronics
NTE2350
120 V
ab € 13,60*
pro Stück
 
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IGBT IXGT30N120B3D1, 1200 V 50 A, TO-268 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gehäusegröße = TO-268 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Länge = 16.05mm Breite = 14mm Höhe = 5.1mm Abme...
IXYS
IXGT30N120B3D1
k.A.
ab € 5,09*
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DIODES INC. BC846BW-7-F TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SC70-3 (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 300 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 290 hFE Betriebstemperatur,...
Diodes
BC846BW-7-F
65 V
ab € 0,0146*
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NTE ELECTRONICS NTE238 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3, Tra (2 Angebote) 
Wandlerpolarität: NPN MSL: - DC-Stromverstärkung hFE: 8 hFE Bauform - Transistor: TO-3 SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Übergangsfrequenz ft: - DC-Kollektorstrom: 8 A Betriebstemperatu...
NTE Electronics
NTE238
750 V
ab € 5,62*
pro Stück
 
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MII75-12A3 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 90 A, Y4 M5 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Serie Dauer-Kollektorstrom max. = 90 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = Y4 M5...
IXYS
MII75-12A3
k.A.
ab € 42,64*
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Bipolarer Transistor SOT-89 PNP -80V (4 Angebote) 
Bipolarer Transistor
Diodes
BCX5316TA
80 V
ab € 0,0674*
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NTE ELECTRONICS NTE243 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3, T (2 Angebote) 
MSL: - Bauform - Transistor: TO-3 SVHC: To Be Advised Übergangsfrequenz ft: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 V Verlustleistung Pd: 100 W DC-Stromverstärkung hFE: 750 hFE DC-Kollektorstrom:...
NTE Electronics
NTE243
80 V
ab € 3,18*
pro Stück
 
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MDI200-12A4 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 270 A, Y3 DCB 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Einfach Dauer-Kollektorstrom max. = 270 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = Y3...
IXYS
MDI200-12A4
k.A.
ab € 82,81*
pro Stück
 
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Bipolarer Transistor SOT-23 NPN 65V (4 Angebote) 
Bipolarer Transistor
Diodes
BC847B-7-F
45 V
ab € 0,012*
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 Stück
NTE ELECTRONICS NTE244 DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3, (2 Angebote) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: TO-3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: -8 A Anzahl der Pins: 2 Pin(s) MSL: - Wandlerpolarität: PNP SVHC: To Be Advised Übe...
NTE Electronics
NTE244
80 V
ab € 3,04*
pro Stück
 
 Stück
IGBT STGFW30V60DF, 600 V 60 A 1MHz, TO-3PF 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 58 W Gehäusegröße = TO-3PF Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3 Schaltge...
ST Microelectronics
STGFW30V60DF
k.A.
ab € 2,36*
pro Stück
 
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