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ZXMN3A03E6TA N-Kanal MOSFET, 30 V / 4,6 A, 1,7 W, SOT-23 6-Pin (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,6 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 50 mO Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
Diodes
ZXMN3A03E6TA
ab € 0,26*
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ZXMN10A25GTA N-Kanal MOSFET, 100 V / 4 A, 3,9 W, SOT-223 3 + Tab-Pin (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 125 mO Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Gehäus...
Diodes
ZXMN10A25GTA
ab € 0,55*
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Weidmüller Zeitrelais, 18...24...30 V DC, 1 Schließer (Transistor), 0,4 A, M12 Stecker / Buchse A-codiert (4 Angebote) 
Zeitrelais für die Verarbeitung von Signalen in der Steuerung. Kurze Impulse werden zeitlich verlängert und somit von den nachgeschalteten Steuerbaugruppen sicher erkannt.
Weidmüller
8771440000
ab € 53,02*
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WEEN SEMICONDUCTORS PHE13005,127 TRANSISTOR, BIPOLAR, 400V, 4A, TO220AB (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 10 hFE Bauform ...
WeEn Semiconductors
PHE13005,127
ab € 0,19316*
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WEEN SEMICONDUCTOR PHE13009 TRANSISTOR, NPN, 12A, 400V, TO220AB (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 40 hFE Betriebstemperatur, max.:...
WEEN SEMICONDUCTOR
PHE13009
ab € 0,31877*
pro Stück
 
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WEEN SEMICONDUCTOR PHD13005 TRANSISTOR, NPN, 4A, 700V, TO220AB (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 V Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 20 hFE Betriebstemperatur, max.:...
WEEN SEMICONDUCTOR
PHD13005
ab € 0,20257*
pro Stück
 
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WEEN SEMICONDUCTOR PHD13003C TRANSISTOR M. DIODE NPN 400V, 1.5A, TO92 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 17 hFE Betriebs...
WEEN SEMICONDUCTOR
PHD13003C
ab € 0,0885*
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WEEN SEMICONDUCTOR BUJ302AD TRANSISTOR, NPN, 4A, 1050V, DPAK (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: - DC-Stromverstärkung hFE: 66 hFE Betriebs...
WEEN SEMICONDUCTOR
BUJ302AD
ab € 0,29879*
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VS-GT140DA60U N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 184 A, SOT-227 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Einfach Dauer-Kollektorstrom max. = 184 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = SOT...
Vishay
VS-GT140DA60U
ab € 27,42*
pro Stück
 
 Stück
VS-GT140DA60U N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 184 A, SOT-227 4-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Einfach Dauer-Kollektorstrom max. = 184 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Frontplattenmontage Gehäusegröße = SOT...
Vishay
VS-GT140DA60U
ab € 37,32*
pro Stück
 
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VS-GB75YF120UT N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, ECONO2 35-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Leiterplattenmontage Gehä...
Vishay
VS-GB75YF120UT
€ 264,92*
pro Stück
 
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VS-GB75YF120UT N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, ECONO2 35-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Leiterplattenmontage Gehä...
Vishay
VS-GB75YF120UT
ab € 127,37*
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VS-GB75YF120N N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, ECONO2 49-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = Leiterplattenmontage Gehä...
Vishay
VS-GB75YF120N
ab € 221,02*
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VS-GB100TS60NPBF N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 108 A, INT-A-pak 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Serie Dauer-Kollektorstrom max. = 108 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = INT-A-pak Pinanzahl =...
Vishay
VS-GB100TS60NPBF
ab € 77,91*
pro Stück
 
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VS-GB100TS60NPBF N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 108 A, INT-A-pak 7-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Konfiguration = Serie Dauer-Kollektorstrom max. = 108 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Channel-Typ = N Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = INT-A-pak Pinanzahl =...
Vishay
VS-GB100TS60NPBF
ab € 70,67*
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