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MULTICOMP BD250C TRANSISTOR, PNP, TO-247 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 25 hFE Verlustleistung Pd: 125 W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 40 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 V Wand...
Multicomp
BD250C
ab € 2,06*
pro Stück
 
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INFINEON IRGB4059DPBF. SINGLE IGBT, 600V, Transistor Type:IGBT, (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-220 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C DC-Kollektorstrom: 8 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Verlustleist...
Infineon
IRGB4059DPBF.
ab € 1,73*
pro Stück
 
 Stück
Darlington-Transistor TO-220 NPN 120V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor
NTE Electronics
NTE2343
ab € 1,88*
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 Stück
Transistor FJP13009TU NPN 400 V 12 A 4 MHz, HFE:6, TO-220 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 12 A Kollektor-Emitter- = 400 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = Durchsteckmontage Verlustleistung max. = 100 W Gleichstromverstärkung min. = 6 Tran...
ON Semiconductor
FJP13009TU
ab € 0,52*
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 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SA1386 TRANSISTOR, PNP, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: -15 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -160 V Ba...
Allegro Microsystems
2SA1386
ab € 1,89*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP 2N6438 BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V TO-3, Tra (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 80 hFE DC-Kollektorstrom: 25 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C MSL: - Übergangsfrequenz ft: 40 MHz SVHC: No SVHC (15-Jan-...
Multicomp
2N6438
ab € 4,50*
pro Stück
 
 Stück
Darlington-Transistor TO-3 NPN 100V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor
NTE Electronics
NTE247
ab € 4,30*
pro Stück
 
 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SB1560 DARLINGTON-TRANSISTOR, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 5000 hFE Verlustleistung Pd: 100 W DC-Kollektorstrom: 10 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 V Ba...
Allegro Microsystems
2SB1560
ab € 1,5853*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP D44H10. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220, Tra (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-220 DC-Kollektorstrom: 10 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Übergangsfrequenz ft: 15 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 60 hFE MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 V Verlus...
Multicomp
D44H10.
ab € 0,58484*
pro Stück
 
 Stück
ALLEGRO SANKEN 2SC3263 TRANSISTOR, NPN, TO-3P (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Verlustleistung Pd: 130 W DC-Kollektorstrom: 15 A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 230 V Bauf...
Allegro Microsystems
2SC3263
ab € 1,77*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS 2395 Transistor Polarity:N Channel, Continuou (1 Angebot) 
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 V Schwellenspannung Vgs: 4 V Bauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 60 V MSL: MSL 1 - Unlimited Betriebstemperatur, max.: 150 °C Qualifizierungsstandar...
NTE Electronics
2395
ab € 6,09*
pro Stück
 
 Stück
Darlington-Transistor TO-3 NPN 500V (3 Angebote) 
Darlington-Transistor
NTE Electronics
NTE98
ab € 17,80*
pro Stück
 
 Stück
ANALOG DEVICES SSM2212RZ TRANSISTOR, NPN, 2FACH, AUDIO, 8SOIC (2 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 85 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard ...
Analog Devices
SSM2212RZ
ab € 3,98*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS 2N3583 TRANSISTOR, NPN, 175V, Transistor Polari (1 Angebot) 
MSL: - Verlustleistung Pd: 35 W Produktpalette: - SVHC: To Be Advised Betriebstemperatur, max.: 200 °C Wandlerpolarität: NPN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - DC-Stromverstärkung hF...
NTE Electronics
2N3583
ab € 3,46*
pro Stück
 
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Darlington-Transistor TO-92 NPN 50V (2 Angebote) 
Darlington-Transistor
NTE Electronics
NTE48
ab € 2,67*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC807-25 TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.5A, SOT23-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 400 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: -500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC807-25
ab € 0,0197*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS 2N4126 BJT, -25V, -200MA, TO-92, Transistor Pol (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 120 hFE DC-Kollektorstrom: -200 mA Bauform - Transistor: TO-92 Verlustleistung Pd: 625 mW Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -25 V MSL: MSL 1 - ...
NTE Electronics
2N4126
ab € 0,15995*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC807-16 TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.5A, SOT23-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: -500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC807-16
ab € 0,02067*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS 2N4400 TRANSISTOR, NPN, 40V, Transistor Polarit (1 Angebot) 
MSL: - Wandlerpolarität: NPN DC-Stromverstärkung hFE: 50 hFE Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Produktpalette: - Qualifizierungsstandard der Automobilindust...
NTE Electronics
2N4400
ab € 0,16195*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC817-25 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, SOT23-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 400 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC817-25
ab € 0,0198*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS MJ10001 TRANSISTOR, NPN, 400V, Transistor Polari (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C DC-Stromverstärku...
NTE Electronics
MJ10001
ab € 5,63*
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HF-Transistor TO-92 NPN 15 V 50 mA (3 Angebote) 
HF-Transistor
NTE Electronics
NTE108
ab € 0,97*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC807-40-7-F TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.5A, SOT23 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) DC-Kollektorstrom: -500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC807-40-7-F
ab € 0,02544*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS MMBT2907A TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -60V, SOT-23-3 (1 Angebot) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - DC-Kollektorstrom: -600 mA DC-Stromverstärkung hFE: 35 hFE SVHC: To Be Advised Übergangsfrequenz ft: 300 MHz MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br...
NTE Electronics
MMBT2907A
ab € 0,17556*
pro Stück
 
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Komplementärendstufen Germanium-Transistor TO1 PNP (2 Angebote) 
Komplementärendstufen Germanium-Transistor
NTE Electronics
NTE102A
ab € 6,22*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC817-40-7-F TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, SOT23-3 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC817-40-7-F
ab € 0,02543*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE121 TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -45V, -10A, TO (1 Angebot) 
MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -45 V Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: -10 A Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC: To Be Advised Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Wandlerp...
NTE Electronics
NTE121
ab € 25,86*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC817-16 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.8A, SOT23-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 310 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC817-16
ab € 0,0197*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE123AP BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, Tra (2 Angebote) 
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150 °C Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited DC-Stromv...
NTE Electronics
NTE123AP
ab € 0,79*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC846A TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23-3 (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung hFE: 180 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC846A
ab € 0,0161*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE130 POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3, Transi (3 Angebote) 
DC-Kollektorstrom: 15 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 V DC-Stromverstärkung hFE: 70 hFE Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - Verlu...
NTE Electronics
NTE130
ab € 1,88*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC817-40W-7 TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.5A, SC70-3 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 250 hFE Verlustleistung Pd: 200 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) DC-Kollektorstrom: 500 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45 V W...
Diodes
BC817-40W-7
ab € 0,03283*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE163A BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 700V, TO-3, Tra (2 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 115 °C DC-Kollektorstrom: 5 A Produktpalette: - Verlustleistung Pd: 12.5 W Bauform - Transistor: TO-3 Übergangsfrequenz ft: 4 MHz Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 700 ...
NTE Electronics
NTE163A
ab € 4,69*
pro Stück
 
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DIODES INC. BC846BW-7-F TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SC70-3 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 290 hFE Verlustleistung Pd: 200 mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) DC-Kollektorstrom: 100 mA Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65 V W...
Diodes
BC846BW-7-F
ab € 0,01454*
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NTE ELECTRONICS NTE175 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, Transisto (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 35 W DC-Kollektorstrom: 2 A Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C Bauform - Transistor: TO-66 SVHC: To Be Advised Kollektor-Emitter-Spannu...
NTE Electronics
NTE175
ab € 3,17*
pro Stück
 
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DIODES INC. BC846B-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (4 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 330 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC846B-7-F
ab € 0,0126*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE180 BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -90V, TO-3, Tra (2 Angebote) 
Übergangsfrequenz ft: 2 MHz Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -90 V DC-Stromverstärkung hFE: 25 hFE Verlustleistung Pd...
NTE Electronics
NTE180
ab € 5,10*
pro Stück
 
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DIODES INC. BC847B-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (4 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 330 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC847B-7-F
ab € 0,0132*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE181 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -90V, 200mA, TO (2 Angebote) 
Übergangsfrequenz ft: 2 MHz Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 30 A Verlustleistung Pd: 200 W Betriebstemperatur, max.: 200 °C SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3 DC-Stromverstärku...
NTE Electronics
NTE181
ab € 4,75*
pro Stück
 
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DIODES INC. BC847BVN-7 TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT563 (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 290 hFE Verlustleistung Pd: 150 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC847BVN-7
ab € 0,09325*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE185 BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-126, Tra (2 Angebote) 
MSL: - Verlustleistung Pd: 40 W Wandlerpolarität: PNP Bauform - Transistor: TO-126 DC-Kollektorstrom: -4 A Übergangsfrequenz ft: 2 MHz Produktpalette: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustr...
NTE Electronics
NTE185
ab € 0,96*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC847C-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 600 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC847C-7-F
ab € 0,0123*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE196 POWER TRANSISTOR, NPN, 70V, 7A, TO-220, (2 Angebote) 
MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 70 V Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Verlustleistung Pd: 40 W Übergangsfrequenz ft: 4 MHz DC-Stro...
NTE Electronics
NTE196
ab € 1,71*
pro Stück
 
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DIODES INC. BC848B-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (2 Angebote) 
Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Bauform - Transistor: SOT-23 Übergangsfrequenz ft: 300 MHz Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Produktpalette: - DC-Stromverstärkung hF...
Diodes
BC848B-7-F
ab € 0,023*
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NTE ELECTRONICS NTE219 POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3, Trans (2 Angebote) 
Verlustleistung Pd: 115 W Wandlerpolarität: PNP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 V DC-Stromverstärkung hFE: 70 hFE MSL: - Bauform - Transistor: TO-3 Betriebstemperatur, max.: 200 °C SVHC: To...
NTE Electronics
NTE219
ab € 2,85*
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DIODES INC. BC847PN-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT363 (3 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 290 hFE Verlustleistung Pd: 200 mW DC-Kollektorstrom: -100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC847PN-7-F
ab € 0,0282*
pro Stück
 
 Stück
NTE ELECTRONICS NTE2312 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220, T (2 Angebote) 
Wandlerpolarität: NPN Anzahl der Pins: 3 Pin(s) DC-Kollektorstrom: 8 A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Produktpalette: - MSL: - Übergangsfrequenz ft: 4 MHz Bauform - Transistor: T...
NTE Electronics
NTE2312
ab € 3,14*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. BC857B-7-F TRANSISTOR, PNP, SOT23 (5 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 330 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: -100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannun...
Diodes
BC857B-7-F
ab € 0,0121*
pro Stück
 
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NTE ELECTRONICS NTE2333 BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220, T (2 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 32 hFE SVHC: To Be Advised Produktpalette: - Bauform - Transistor: TO-220 Wandlerpolarität: NPN Verlustleistung Pd: 100 W Übergangsfrequenz ft: 14 MHz Betriebstemperatur, m...
NTE Electronics
NTE2333
ab € 3,15*
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DIODES INC. BC848C-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (6 Angebote) 
DC-Stromverstärkung hFE: 600 hFE Verlustleistung Pd: 300 mW DC-Kollektorstrom: 100 mA SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) Betriebstemperatur, max.: 150 °C MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung...
Diodes
BC848C-7-F
ab € 0,01125*
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Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.
Haben Sie Hinweise, Verbesserungs- oder Korrekturvorschläge zum Ratgebertext Schalttransistor, dann informieren Sie uns bitte per Formular.

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