Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Schalttransistor

  Schalttransistor  (22.764 Angebote unter 17.409.785 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Schalttransistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Schalttransistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 9,5A; Idm: 42A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 9,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 130W Polaris...
ST Microelectronics
STP22N60M6
ab € 1,71*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 11A; Idm: 68A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisi...
ST Microelectronics
STP23NM50N
ab € 1,41*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 7,6A; Idm: 48A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 170W Polarisi...
ST Microelectronics
STP15N95K5
ab € 2,67*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 58A; Idm: 440A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 463W Polarisie...
ST Microelectronics
STWA65N023M9
ab € 15,92*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 127A Widerstand im Leitungszustand: 4,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 115W P...
Nexperia
PSMN2R0-25YLDX
ab € 0,29809*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11,3A; Idm: 72A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 11,3A Widerstand im Leitungszustand: 188mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polari...
ST Microelectronics
STP25N60M2-EP
ab € 1,2234*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisi...
ST Microelectronics
STP22NM60N
ab € 1,36*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 216A Widerstand im Leitungszustand: 2,43mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W P...
Nexperia
PSMN1R0-25YLDX
ab € 0,56514*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 16A; Idm: 70A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 190W Polarisi...
ST Microelectronics
STP35N60M2-EP
ab € 3,55*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8,2A; Idm: 52A (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,285Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polari...
ST Microelectronics
STP18NM60N
ab € 1,07*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 380A; Idm: 2174A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: PowerSO8;SOT1023;LFPAK56E Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 380A Widerstand im Leitungszustand: 1,46mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 333W...
Nexperia
PSMNR51-25YLHX
ab € 1,4077*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 22A Widerstand im Leitungszustand: 88mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 250W Polarisieru...
ST Microelectronics
STWA40N60M2
ab € 3,88*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A (2 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 25V Drainstrom: 205A Widerstand im Leitungszustand: 2,87mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 172W P...
Nexperia
PSMN1R2-25YLDX
ab € 0,70385*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 4,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 142W Po...
Nexperia
PSMN2R0-30YLDX
ab € 0,66*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4,9A; Idm: 30A (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisie...
ST Microelectronics
STP10N60M2
ab € 0,61073*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   ..   1201   1202   1203   1204   1205   1206   1207   1208   1209   1210   1211   ..   1518   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.