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  Schalttransistor  (22.800 Angebote unter 17.430.468 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIA432DJ-T1-GE3
ab € 0,39315*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 80A; 25W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung: ...
Vishay
SISA10DN-T1-GE3
ab € 0,30*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 200V Drainstrom: 90A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 375W Polarisierung: unipol...
Vishay
SUP90140E-GE3
ab € 2,24*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 22,2W Polarisierung: ...
Vishay
SIRA96DP-T1-GE3
ab € 0,30*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 32A Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 11W Polarisierung: ...
Vishay
SIRA18BDP-T1-GE3
ab € 0,15238*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 12A; Idm: 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 18,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA430DJT-T1-GE3
ab € 0,15138*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14,2A; Idm: 60A; 2W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 14,2A Widerstand im Leitungszustand: 8,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH112DN-T1-GE3
ab € 0,58357*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 25W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 9,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 25W Polarisierung...
Vishay
SISH114ADN-T1-GE3
ab € 0,25638*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 169A Widerstand im Leitungszustand: 3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung:...
Vishay
SISS80DN-T1-GE3
ab € 0,6602*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 18W Polarisierun...
Vishay
SISH472DN-T1-GE3
ab € 0,204*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 35A Widerstand im Leitungszustand: 8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33W Polarisierung: ...
Vishay
SIS402DN-T1-GE3
ab € 0,82*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 177A Widerstand im Leitungszustand: 4,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polarisierung...
Vishay
SIR800ADP-T1-GE3
ab € 0,64662*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17W Polarisierung...
Vishay
SISHA14DN-T1-GE3
ab € 0,17*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 37,8A; Idm: 70A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 37,8A Widerstand im Leitungszustand: 11,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA468DJ-T1-GE3
ab € 817,29*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 20V Drainstrom: 25A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIA466EDJ-T1-GE3
ab € 0,2137*
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