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DIODES INC. MMBT2222A-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (3 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 300 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE Be...
Diodes
MMBT2222A-7-F
ab € 0,0116*
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N-Kanal IGBT GT20J341, 600 V 20 A 100kHz, TO-220SIS 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Verlustleistung max. = 45 W Gehäusegröße = TO-220SIS Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pin...
Toshiba
GT20J341
ab € 1,32*
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ON SEMICONDUCTOR J175 D26Z TRANSISTOR, JFET, 30V, -60mA, TO-92-3, B (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 V MSL: MSL 1 - Unlimited Bauform - Transistor: TO-92 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -7 mA Drainstrom bei Gate-Nullsp...
ON Semiconductor
J175 D26Z
ab € 0,18714*
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DIODES INC. FZT788B TRANSISTOR, PNP, SOT-223 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 100 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 500 hFE Be...
Diodes
FZT788B
ab € 0,35301*
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N-Kanal IGBT HGT1S10N120BNST, 1200 V 80 A 1MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 298 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzahl ...
ON Semiconductor
HGT1S10N120BNST
ab € 1,22*
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ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T3G TRANSISTOR ARRAY, DUAL NPN, 40V, SOT-363 (2 Angebote) 
Betriebstemperatur, max.: 150 °C Wandlerpolarität: Dual NPN Verlustleistung Pd: 150 mW MSL: MSL 1 - Unlimited Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - DC-Kollektorstrom: 200 mA Produktpale...
ON Semiconductor
MBT3904DW1T3G
ab € 0,0377*
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DIODES INC. MMBT3904-7-F TRANSISTOR, NPN, SOT23 (2 Angebote) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz ft: 300 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 100 hFE Be...
Diodes
MMBT3904-7-F
ab € 0,0123*
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N-Kanal IGBT IGP30N60H3XKSA1, 600 V 60 A 1MHz, TO-220AB 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGP30N60H3XKSA1
ab € 1,34*
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ON SEMICONDUCTOR MJB41CG POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK, Tra (2 Angebote) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC: Lead DC-Stromverstärkung hFE: 25 hFE Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 65 W DC-Kollektorstrom: 6 A Übergangsfrequenz ft: 3...
ON Semiconductor
MJB41CG
ab € 0,55343*
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DIODES INC. FZT790A TRANSISTOR, PNP, SOT-223 (1 Angebot) 
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40 V Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz ft: 100 MHz DC-Stromverstärkung hFE: 300 hFE Be...
Diodes
FZT790A
ab € 0,2628*
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N-Kanal IGBT HGTG18N120BND, 1200 V 54 A, TO-247 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 54 A Kollektor-Emitter- = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 390 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pina...
ON Semiconductor
HGTG18N120BND
ab € 2,90*
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ON SEMICONDUCTOR MJD41CRLG BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-252-4, (1 Angebot) 
Verlustleistung Pd: 20 W Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150 °C SVHC: Lead Produktpalette: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 DC-Ko...
ON Semiconductor
MJD41CRLG
ab € 0,3701*
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Transistor MMBT4401-7-F NPN 40 V 600 mA 250 MHz, HFE:20, SOT-23 3-Pin Einfach (3 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 600 mA Kollektor-Emitter- = 40 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 300 mW Gleichstromverstärkung min. = 20 Transistor-Konf...
Diodes
MMBT4401-7-F
ab € 0,0152*
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 Stück
N-Kanal IGBT HGTG20N60A4, 600 V 70 A, TO-247 3-Pin Einfach (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter- = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = Durchsteckmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigura...
ON Semiconductor
HGTG20N60A4
ab € 2,86*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225 (2 Angebote) 
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR Montage: THT Polarisierung: bipolar Transistor-Art: Darlington Gehäuse: TO225 Verpackungs-Art: unverpackt Transistor-Typ: PNP Kollektor-Emitter-Spannung: 80V Kollektor-...
ON Semiconductor
MJE702G
ab € 0,30*
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