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  Schalttransistor  (10.579 Angebote unter 17.406.523 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
ab € 1,63*
pro 10 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität:...
onsemi
MMUN2232LT1G
ab € 0,0313*
pro Stück
 
 Stück
ONSEMI 2N3904TFR. TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL, (4 Angebote) 
Bauform - Transistor: TO-92 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited Dauer-Kollektorstrom: 200 mA Übergangsfrequenz: 300 MHz Qualifikation: - Verlustleistung:...
onsemi
2N3904TFR.
ab € 0,0425*
pro Stück
 
 Stück
COMSET Semiconductors N-Kanal SIPMOS Power Transistor, TO-220, BUZ12-T (1 Angebot) 
SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET
COMSET Semiconductors
BUZ12-T
ab € 2,07*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IGW60T120FKSA1
ab € 12,29*
pro 2 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTC123EETL
ab € 0,03543*
pro Stück
 
 Packungen
ONSEMI 2N3906TF TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92, Transistor (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-92 Verlustleistung: 625 mW Produktpalette: - Dauer-Kollektorstrom: 200 mA Transistormontage: Through Hole MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Übergangsfrequenz...
onsemi
2N3906TF
ab € 0,06444*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 25A 160W ECONO25-24 FP25R12KT4B15BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP25R12KT4B15BOSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige Schaltverluste * Grundplatte aus Kupfer * Hohe Leistung un...
Infineon
FP25R12KT4B15BOSA1
ab € 74,00*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 333 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IKW50N60TFKSA1
ab € 3,21*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC114T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolar...
ROHM Semiconductor
DTC114TETL
ab € 0,04066*
pro Stück
 
 Packungen
ONSEMI BC32725TA BIPOLAR TRANSISTOR, Transistor Polarity: (4 Angebote) 
MSL: MSL 1 - Unlimited Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Verlustleistung: 625 mW Dauer-Kollektorstrom: 800 mA Transistormontage: Through Hole Produktpalette: -...
onsemi
BC32725TA
ab € 0,0405*
pro Stück
 
 Stück
Gate Treiber IC, Transistor, PDIP-16, SN75468N (4 Angebote) 
Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...
Texas Instruments
SN75468N
ab € 0,50*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 483 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW40N120H3FKSA1
ab € 3,93*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTC123Y Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC123YETL
ab € 0,05677*
pro Stück
 
 Packungen
ONSEMI FDD6612A.. MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO, POW (1 Angebot) 
Transistormontage: Surface Mount MSL: MSL 1 - Unlimited Betriebstemperatur, max.: 175 °C Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V Drain-Source-D...
onsemi
FDD6612A..
ab € 0,39412*
pro Stück
 
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