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  Schalttransistor  (22.979 Angebote unter 17.427.293 Artikeln)Zum Expertenwissen

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ONSEMI J175-D26Z TRANSISTOR, JFET, 30V, -0.06A, TO-92-3 (4 Angebote) 
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30 V Gate-Source-Sperrspannung, max.: 6 V Kanaltyp: p-Kanal Produktpalette: - MSL: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pi...
onsemi
J175-D26Z
ab € 0,112*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin TO-220AB N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Fairchild
ISL9V3040P3
ab € 7,03*
pro 5 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTC123EKAT146
ab € 0,02708*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT Modul NCH 1200V 39A 175W EASY2B2-23 FP25R12W2T4B11BOMA1 (3 Angebote) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, IGBT-Modul, FP25R12W2T4B11BOMA1, Infineon IGBT-Modul Grabenfeldanschlag, dreiphasig, Wechselrichter-Einbaumodul. Features * Geringe Schaltverluste ...
Infineon
FP25R12W2T4B11BOMA1
ab € 39,92*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE 2N6044 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220, (1 Angebot) 
Anzahl der Pins: 3 Pin(s) SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Produktpalette: - Transistormontage: Through Hole Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 150 °C Wandlerpolarität: NPN RoHS konform: Ja
Solid State
2N6044
ab € 0,9124*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 483 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 483 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW40N120H3FKSA1
ab € 3,93*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143T Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NP...
ROHM Semiconductor
DTC143TUAT106
ab € 0,0362*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 1200V 320A 1050W ECONOD4-11 FF225R12ME4B11BPSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FF225R12ME4B11BPSA1, Infineon Technologies Features * Niedrige V * Standardgehäuse * Hohe Wärmebeständigkeit * Hohe Verl...
Infineon
FF225R12ME4B11BPSA1
ab € 134,84*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ11012 DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3, T (1 Angebot) 
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Betriebstemperatur, max.: 200 °C Transistormontage: Through Hole Produktpalette: - Qualifikation: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Wandlerpolarität: NPN RoHS konform: Ja
Solid State
MJ11012
ab € 7,18*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 110 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Infineon
IGB10N60TATMA1
ab € 10,34*
pro 20 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143Z Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einf...
ROHM Semiconductor
DTC143ZUAT106
ab € 0,02087*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul NCH 650V 70A 190W ECONO24-31 FP50R07N2E4B11BOSA1 (1 Angebot) 
NCNR-Produkt ist nicht stornierbar/retournierbar, Leistungsmodul (PIM, IPM), FP50R07N2E4B11BOSA1, Infineon Technologies Features * Erhöhte Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V * Hohe Kurzschlussfestig...
Infineon
FP50R07N2E4B11BOSA1
ab € 89,67*
pro Stück
 
 Stück
SOLID STATE MJ15022 POWER TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-3, Trans (1 Angebot) 
Qualifikation: - DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hFE Verlustleistung: 250 W Dauer-Kollektorstrom: 16 A MSL: - Wandlerpolarität: NPN Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200 V Bau...
Solid State
MJ15022
ab € 5,04*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 217 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 5,85*
pro 2 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC143Z Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
ROHM Semiconductor
DTC143ZETL
ab € 0,04271*
pro Stück
 
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