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  Schalttransistor  (10.579 Angebote unter 17.407.104 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Schalttransistor"

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SOLID STATE MJ15022 POWER TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-3, Trans (1 Angebot) 
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hFE Qualifikation: - Produktpalette: - MSL: - Wandlerpolarität: NPN Dauer-Kollektorstrom: 16 A Verlustleistung: 250 W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200 V Bau...
Solid State
MJ15022
ab € 5,26*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 600 V, 20 A, TO-247, BIDW20N60T (2 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil f...
Bourns
BIDW20N60T
ab € 1.163,91*
pro 600 Stück
 
 Packung
Fairchild IGBT / 46 A ±14V max., 420 V 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 46 A Kollektor-Emitter-Spannung = 420 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V5036S3ST
ab € 11,29*
pro 5 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfac...
onsemi
SMMUN2216LT1G
ab € 0,02863*
pro Stück
 
 Packung
SOLID STATE MJ15025 POWER TRANSISTOR, PNP, -250V, TO-3, Tran (1 Angebot) 
Produktpalette: - Verlustleistung: 250 W Qualifikation: - Wandlerpolarität: PNP MSL: - Betriebstemperatur, max.: 200 °C Dauer-Kollektorstrom: 16 A Transistormontage: Through Hole Bauform - Transist...
Solid State
MJ15025
ab € 3,85*
pro Stück
 
 Stück
IGBT PIM Mod.3ph.55A 2,3V 200W FP40R12KE3BOSA1 (2 Angebote) 
IGBT-Transistor, FP40R12KE3BOSA1, NXP Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiter mit drei Anschlüssen, der sich durch hohe Effizienz und schnelles Schalten auszeichnet...
Infineon
FP40R12KE3BOSA1
ab € 85,97*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 217 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 5,87*
pro 2 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA123EETL
ab € 0,04164*
pro Stück
 
 Packungen
SOLID STATE MJ16018 BJT, NPN, TO-3, Transistor Polarity:NPN, (1 Angebot) 
Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800 V Übergangsfrequenz: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Produktpale...
Solid State
MJ16018
ab € 13,29*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247N, BIDNW30N60H3 (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDNW30N60H3, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente...
Bourns
BIDNW30N60H3
ab € 1,81*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 170 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW20N60H3FKSA1
ab € 6,16*
pro 4 Stück
 
 Packung
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTA113Z Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 1 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandler...
ROHM Semiconductor
DTA113ZKAT146
ab € 0,02912*
pro Stück
 
 Packungen
STMICROELECTRONICS TIP47. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-220, T (4 Angebote) 
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hFE Wandlerpolarität: NPN Qualifikation: - Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Through Hole SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Pr...
ST Microelectronics
TIP47.
ab € 0,24862*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, SMD, 600 V, 5 A, DPAK, BIDD05N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDD05N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDD05N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDD05N60T
ab € 0,50761*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...
Infineon
IRGP4063DPBF
ab € 3,14*
pro Stück
 
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