Kategorien
Österreich
Deutsch
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  > Schalttransistor

  Schalttransistor  (22.974 Angebote unter 17.440.392 Artikeln)Zum Expertenwissen

Folgende Filter helfen, die Artikelliste für die Suche „Schalttransistor“ nach Ihren Wünschen zu verfeinern:
Filtern: Preis vonbis€  Wort 
Funktionen
☐
Übersicht

"Schalttransistor"

Überbegriffe
Unterbegriffe
Anzeige
☐
☐
☐
☐
Bild
Artikel ^v
Hersteller/-Nr. ^v
Preis ^v
Bestellen
zurück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 170 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW20N60H3FKSA1
ab € 6,22*
pro 4 Stück
 
 Packung
Infineon BSS123N Transistor 100 V (4 Angebote)
Infineon
BSS123NH6327XTSA1
ab € 0,0507*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTA143EKAT146
ab € 0,02902*
pro Stück
 
 Packung
Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 96 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration...
Infineon
IRGP4063DPBF
ab € 3,15*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 600 V, 30 A, TO-247, BIDW30N60T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW30N60T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW30N60T
ab € 1,98*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD9N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD9NTR
ab € 0,07404*
pro Stück
 
 Packungen
Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 600 V 428 W, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-K...
Infineon
IGW75N60TFKSA1
ab € 3,00*
pro Stück
 
 Stück
Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W TO-247-3 Tube IGW40T120FKSA1 (4 Angebote) 
IGBTs, IGW40T120, Infineon Technologies Der IGW40T120 ist ein Transistor, der aufgrund der Kombination von Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept sowohl die statische als auch die dynamische Leistung d...
Infineon
IGW40T120FKSA1
ab € 4,13*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpola...
ROHM Semiconductor
DTA143TKAT146
ab € 0,03251*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) (4 Angebote) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierliche...
Infineon
IGW40N65F5FKSA1
ab € 1,65*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, THT, 650 V, 50 A, TO-247, BIDW50N65T (3 Angebote) 
Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW50N65T, Bourns Der IGBT-Baustein BIDW30N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines Bipolartransistors zu einer optimalen Komponente f...
Bourns
BIDW50N65T
ab € 2,56*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (1 Angebot) 
Produktpalette: BCR35PN Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
Infineon
BCR35PNH6327XTSA1
ab € 0,07318*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 45 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 45 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 187 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW30N60TFKSA1
ab € 6,56*
pro 2 Stück
 
 Packung
Transistor-Haltefeder (1 Angebot) 
Einrast-Transistorhaltefeder für Profil-Kühlkörper Typ Fischer THFU. Für Gehäusetypen TO 218, TO 220, TO 247, TO 264 und diverse SiP-Multiwatt usw; Material: Stahl, rostfrei, 0,8 mm, Federkraft: 60...
Fischer Elektronik
10065593
ab € 0,132*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD6N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolari...
ROHM Semiconductor
UMD6NTR
ab € 0,0376*
pro Stück
 
 Stück
vorwärts
Artikel pro Seite: 10   15   20   50   100    Seite: zurück   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   1532   vorwärts
Weitere Informationen zum Thema Schalttransistor
^

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.