Schalttransistor bei Mercateo günstig kaufen (Seite 543/706)

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Infineon IPB083N15N5LF Transistor 150 V (1 Angebot)

Infineon

IPB083N15N5LFATMA1

ab € 3.058,81*
pro 1.000 Stück

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,14A; 0,12W; SOT363 (3 Angebote)

Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT363 Drain-Source Spannung: 60V Drainstrom: 0,14A Widerstand im Leitungszustand: 13,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 0,12W Pol...

Diodes

2N7002DW-7-F

ab € 0,0305*
pro Stück

Infineon IPC90N04S5-3R6 Transistor 40 V (2 Angebote)

Infineon

IPC90N04S53R6ATMA1

ab € 0,39509*
pro Stück

Infineon IRF7503 Transistor 30 V (4 Angebote)

Infineon

IRF7503TRPBF

ab € 0,137*
pro Stück

Infineon TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT Development Board, Evaluation Board (1 Angebot)

Zum Einsatz mit = Anwendungen für Klimaanlage und EV-Ladegerät Kit-Klassifizierung = Evaluierungsplatine Vorgestelltes Gerät = TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT Kit-Name = Evaluation Board

Infineon

EVALPFC5KIKWWR5SYSTOBO1

ab € 248,99*
pro Stück

Infineon BSC061N08NS5 Transistor 100 V (2 Angebote)

Infineon

BSC061N08NS5ATMA1

ab € 0,71355*
pro Stück

Infineon OptiMOS 3 IPB015N04NGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 12 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (2 Angebote)

Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0015 O Channel-Modus = ...

Infineon

IPB015N04NGATMA1

ab € 1,70*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8,1A; 2,5W; SO8 (5 Angebote)

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 8,1A Widerstand im Leitungszustand: 17,9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 2,5W Polar...

Infineon

IRL6372TRPBF

ab € 0,27*
pro Stück

Infineon IPB019N08N3 G Transistor 30 V (2 Angebote)

Infineon

IPB019N08N3GATMA1

ab € 2,86*
pro Stück

Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 (1 Angebot)

Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 214W Polarisier...

ST Microelectronics

STW20NM50FD

ab € 2,30*
pro Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 450 20V max. Dual, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 450 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Anzahl an Transistoren = 2 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = PCB-Montage Channel-Typ = N Transis...

Mitsubishi

CM450DY-24T #300G

ab € 1.860,10*
pro 10 Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 50 6-fach, 1200 V Modul N-Kanal (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Anzahl an Transistoren = 6 Gehäusegröße = Modul Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Transistor-Konfiguration = 3-phasig Die...

Mitsubishi

PM50CG1B120#300G

ab € 1.858,86*
pro 10 Stück

Infineon IPB031N08N5 Transistor 40 V (2 Angebote)

Infineon

IPB031N08N5ATMA1

ab € 1,57*
pro Stück

Mitsubishi IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 600 V 4,17 kW 94 x 48 mm (1 Angebot)

Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 4,17 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual

Mitsubishi

CM600DY-13T#300G

ab € 2.366,78*
pro 10 Stück

Infineon IPB065N10N3 G Transistor 55 V (1 Angebot)

Infineon

IPB065N10N3GATMA1

ab € 1.181,71*
pro 1.000 Stück

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